Add to ORKG報告番号: 甲07723 ; 学位授与年月日: 1988-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2214号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工学専
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1161号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/2/8 ; 早大学位記番号:新2288 ; 理工学図書館請求番号:1949本文PDFは平成22年度国...
早稲田大学博士(文学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1864号 ; 学位の種類:博士(文学) ; 授与年月日:2004/2/12 ; 早大学位記番号:新3727doctoral thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1708号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-15 ; 早大学位記番号:新3456doctoral thesi
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:甲838号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-8 ; 早大学位記番号:新1604 ; 理工学図書館請求番号:1360thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第14154号工博第2988号新制||工||1444(附属図書館)UT51-2008-N471京都大学大学院工学研究科建築学専攻(主査)教授 髙田 光雄, ...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
早稲田大学博士(情報科学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1926号 ; 学位の種類:博士(情報科学) ; 授与年月日:2004-03-24 ; 早大学位記番号:新3812doctoral thesi
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状 ,并对该领域的研究作了展
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1704号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-15 ; 早大学位記番号:新3452doctoral thesi
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1161号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/2/8 ; 早大学位記番号:新2288 ; 理工学図書館請求番号:1949本文PDFは平成22年度国...
早稲田大学博士(文学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1864号 ; 学位の種類:博士(文学) ; 授与年月日:2004/2/12 ; 早大学位記番号:新3727doctoral thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1708号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-15 ; 早大学位記番号:新3456doctoral thesi
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:甲838号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-8 ; 早大学位記番号:新1604 ; 理工学図書館請求番号:1360thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第14154号工博第2988号新制||工||1444(附属図書館)UT51-2008-N471京都大学大学院工学研究科建築学専攻(主査)教授 髙田 光雄, ...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
早稲田大学博士(情報科学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1926号 ; 学位の種類:博士(情報科学) ; 授与年月日:2004-03-24 ; 早大学位記番号:新3812doctoral thesi
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状 ,并对该领域的研究作了展
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1704号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-15 ; 早大学位記番号:新3452doctoral thesi
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1161号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1996/2/8 ; 早大学位記番号:新2288 ; 理工学図書館請求番号:1949本文PDFは平成22年度国...
早稲田大学博士(文学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1864号 ; 学位の種類:博士(文学) ; 授与年月日:2004/2/12 ; 早大学位記番号:新3727doctoral thesi
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1708号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2003-03-15 ; 早大学位記番号:新3456doctoral thesi