Few-electron semiconductor quantum dots with Gaussian confinement

We have performed Hartree-Fock calculations of the electronic structure of N ≤ 10 electrons in a quantum dot modeled with a confining Gaussian potential well. We discuss the conditions for the stability of N bound electrons in the system. We show that the most relevant parameter determining the number of bound electrons is V 0 R 2. Such a feature arises from widely valid scaling properties of the confining potential. Gaussian Quantum dots having N = 2, 5, and 8 electrons are particularly stable in agreement with the Hund rule. The shell structure becomes less and less noticeable as the well radius increases.Fil: Gomez, Sergio Santiago. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Nordeste. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas Naturales y Agrimensura. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica; ArgentinaFil: Romero, Rodolfo Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Nordeste. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica. Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas Naturales y Agrimensura. Instituto de Modelado e Innovación Tecnológica; Argentin