Zum Einbau von Kohlenstoff aus gasförmigen Quellen bei der Mombe von GaAs

Die in dieser Arbeit erzielten Ergebnisse geben einen Einblick in die Einbaumechachanismen von Kohlenstoff aus den in der MOMBE verwendeten Duellmaterialien und die Eigenschaften des Kohlenstoffs in GaAs. Es wurde festgestellt, daß der extrinsische Einbau von Störstellen bei der Epitaxie mittels TEGa für Wachstumstemperaturen unterhalb T$_{W}$=815 K und für Ladungsträgerkonzentrationen p 5x10$^{19}$ cm$^{-3}$) dotierten GaAs in Bauelementen auf passive Schichten wie zum Beispiel Kontaktschichten, im Vergleich mit den Eigenschaften anderer als Akzeptor eingebauten Störstellen wie Be, Zn oder Mg ist Kohlenstoff jedoch als der für die Verwendung in Bauelementen geeigneste Akzeptordotierstoff im System GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As anzusehen