Plasmochemical treatment of photoanodes with semiconducting oxide layer

Diplomová práca sa zaoberá plazmochemickou úpravou fotoanód, ktoré sú tvorené aktívnou vrstvou, obsahujúcou TiO2, deponovanou na dvoch rôznych substrátoch pomocou techniky materiálovej tlače. Pre proces plazmochemickej úpravy bola použitá nízkoteplotná atmosférická plazma, využívajúca difúzny koplanárny povrchový bariérový výboj (DCSBD). Experimentálna časť je zameraná na skúmanie vplyvu DCSBD na zhotovené fotoanódy, ktoré obsahujú rôzny počet aktívnych vrstiev, v závislosti na dĺžke pôsobenia plazmochemickej úpravy. Zároveň bola vykonaná optimalizácia procesu, nastavovaním výšky elektródy, na ktorej sa generuje DCSBD. Pre elektrochemickú charakterizáciu vrstiev bola použitá lineárna voltampérometria a chronoampérometria.This diploma thesis deals with a plasmochemical treatment of photoanodes with an active layer containing TiO2 deposited on two different substrates by material printing. The plasmochemical treatment was performed by a low-temperature ambient-air plasma using a diffuse coplanar surface barrier discharge (DCSBD). The experimental part is focused on the investigation of DCSBD influence on the fabricated photoanodes photoelectrochemical properties, and the influence of plasma treatment time. Process optimization was achieved by height adjustment of the electrode. The processed coatings were electrochemically investigated by linear sweep voltammetry and chronoamperometry.