Comparaison par simulation numérique entre les caractéristiques électriques d'une cellule solaire en Si et une autre en Si intégré sur un substrat en GaAs

Ce travail est une simulation numérique des propriétés électriques ; caractéristique (J-V) et réponse spectrale, d’une cellule solaire en Si sur un substrat en GaAs. La simulation a été faite par le logiciel SILVACO-ATLAS au sein du laboratoire des matériaux semiconducteurs et métalliques (LMSM) à l’université de Biskra. Cette cellule est comparée par la suite avec une cellule Si simple, une cellule GaAs simple et finalement une cellule GaAs sur un substrat en Si. Les résultats que nous avons obtenu montre que les cellules GaAs et GaAs/Si ont un meilleur rendement de conversion (19%) or la réponse spectrale de la cellule Si/GaAs est plus meilleur. Une optimisation de la cellule Si/GaAs sur la base des épaisseurs, du dopage et de la composition de la couche antireflet a permis d’augmenter le rendement de conversion de la cellule à 18.43%