Dépôt et Caractéri sat ions des Couches minces de ZnO Avec Di f férentes Sources de Zinc

L’oxyde de zinc (ZnO) est un matériau binaire, semi-conducteur à large gap direct (3,3) ev. Vu leurs bonnes propriétés optoélectronique, les couches minces trouvent plusieurs applications telles que : cellules solaires, capteurs piézoélectrique, guides d’ondes…ect. Les films minces ZnO peuvent être élaborés par plusieurs techniques, il faut citer : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation réactivé, sol-gel, ablation laser…ect. Dans ce travail, des couches minces de ZnO ont été par la technique de spray ultrasonique sue des substrats en verre. Nos intérêts consistent à améliorer la qualité de ces couches par l’étude de l’influence la concentration de la solution sur les propriétés structurales, optiques, afin de savoir ce que les meilleures conditions pour le beau dépôt d'oxyde de zinc par cette technique. Pour cela, nous avons utilisé trois sources de ZnO (Acétate du Zinc, Nitrate du Zinc, Chlorure du Zinc) avec variation de la concentration de la solution à 0.05 mole/l jusqu’à 0.4mole/l. Ces couches sont analysées par les techniques de caractérisation des matériaux. La diffraction des rayons X montrent que les filme déposés avec déférents sources de ZnO sont poly-cristallins, et présentent un orientation préférentielle suivant la direction (002). La microscope électronique à balayage montrent un état cde surface de ces films minces. La caractérisation optique des films a été réalisée à l’aide d’une spectrométrie UV-Visible dans la gamme spectral de 200-800 nm. A partir des spectres de transmission nous avons déduit le gap optique Eg du film de ZnO, selon la conduction d’élaboration les valeurs du gap obtenu variententre 3,2à3, 4ev. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la technique des deux pointes qui permettent de déduire la conductivité