本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管.钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力.透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构.钆铝锌氧薄膜晶体管显示了良好的转移特性和输出特性.器件开关比大于105、饱和迁移率约为10 cm2·V-1·s-1.实验结果表明,钆铝锌氧薄膜可用作氧化物薄膜晶体管的有源层材料;钆铝锌氧薄膜晶体管可作为像素电路的驱动器件.Because of the advantages in high mobility and low temperature process, oxide thin film transistor (TFT) becomes the hotspot in display technology at present.Gadolinium-aluminum-zinc-oxide (GdAZO) thin film and GdAZO TFT (active layer is GdAZO thin film) were fabricated.The photoluminescence spectra and the transmittance of GdAZO thin film demonstrate the application potential in transparent display.The transmission electron microscope image discovers the amorphous microstructure of the GdAZO thin film.The GdAZO TFTs ma...
Amorphous oxide semiconductors (AOS) based thin film transistors (TFTs) find potential applications ...
High-performance transparent bottom-gate gallium-doped zinc-oxide thin-film transistors (GZO TFTs) h...
Thin film transistor (TFT) technologies have been the great force behind the development of display ...
[[abstract]]本?文主題為利用氧化鋅(ZnO)透明半導體薄膜,製作透明薄膜電晶體元件。使用射頻濺鍍,於室溫下改變氧/氬工作氣體比例、電漿功率等參數,沉積非晶質氧化鋅(ZnO)薄膜,並配合不同...
[[abstract]]本論文利用原子層沉積法製作氧化鋅薄膜電晶體,探討在低溫電漿輔助原子層沉積之氧化鋅薄膜,經不同方式退火後的電性及物性,並配合奈米壓印技術製作3D類鰭狀氧化鋅薄膜電晶體,討論不同類...
[[abstract]]本論文研究垂直式氧化銦鎵鋅薄膜電晶體,進行理論探討、元件設計、製作與量測。不同於一般垂直結構,設計出多個通道及雙邊閘極結構,改善電晶體效能;使用鉬金屬製作元件各電極,並利用濺鍍...
[[abstract]]本論文分為二大部分,第一部分研究利用射頻濺鍍製作氧化銦鎵鋅薄膜電晶體,藉由改變氧流量、總流量、電漿瓦數等參數進行鍍膜,以改善元件基本特性,第二部分為搭配氧化鋅製作雙主動層薄膜電...
Pour réaliser des fonctions électroniques sur support souple, le transistor en couches minces (TFT) ...
酸化亜鉛は資源が豊富、人体に安全、かつ大面積基板への展開が容易なワイドギャップ半導体材料であり、非晶質シリコンに比較して高い電界効果移動度が得られることから電界効果デバイスとして大面積エレクトロニクス...
Fully transparent aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin-film transistors (TFTs) were successfully fab...
[[abstract]]本論文研究利用射頻濺鍍製作銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體,在重?雜矽基版上以熱氧化方式成長二氧化矽當介電層,並以濺鍍方式沉積銦鎵鋅氧化物薄膜當主動層,沉積主動層後,分別使用鈦鋁與鉬鋁做...
Thin film transistors (TFTs) with Gadolinium-doped Aluminum-Zinc-Oxide (Gd-AZO) thin film as the act...
Ce travail de thèse a pour sujet l'étude de transistors en couches minces (TFTs) à base d'Indium Gal...
Graduation date: 2008In recent years, a new class of high-performance thin-film transistors (TFTs) h...
By applying a novel active layer comprising ZnO/Al2O3 multilayers, we have successfully fabricated f...
Amorphous oxide semiconductors (AOS) based thin film transistors (TFTs) find potential applications ...
High-performance transparent bottom-gate gallium-doped zinc-oxide thin-film transistors (GZO TFTs) h...
Thin film transistor (TFT) technologies have been the great force behind the development of display ...
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