退火气氛对SIMOX材料Si/SiO↓2界面特性的影响

利用TEM、AES、XPS技术分析研究了不同退火气氛对SIMOX材料的影响。结果表明,在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下,在Ar+0.5％O_2中退火,可以获得光滑平整的Si/SiO_2界面,而在纯N_2气氛中退火,Si/SiO_2界面极不平整,且界面附近晶体质量较差。该文分析了造成这种结果的原因。EI中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)1111