CMOS电路电流测试技术研究

本文对CMOS电路电流测试技术进行了研究。主要内容如下： 1．详细分析了IDDQ实现技术中的主要难点问题及其产生的根源，并提出了一种可以提高IDDQ测试速度的BICS电路结构，性能达到100MHZ、测量精度1μA、最大电流500mA、故障电流50μA、最大电压降0.5V。 2．介绍了一种新的电流测试技术一电流频谱测试，包括基本原理和测试实现方法，并给出了故障模拟实验结果。 3．较全面总结了IDDT测试技术，包括原理、可行性、故障类型、测试向量生成和测试实现、工艺参数影响及正在研究的问题。 4．对四种电流测试方法进行对比，阐述了电流测试方法的发展趋势。