Add to ORKG该论文通过在大量的实验基础和理论分析之上,首先对在氮化镓基的器件中一种重要而且基本的结构--AlGaN/GaN异质结作了系统的分析与研究;其次,在国内首次采用氢化物气相外延法(HVPE)与金属有机物气牙外延法(MOVPE)相结合生长氮化镓,经过大量实验和反复摸索,获得了影响晶体生长质量的各种因素,确定了最佳的生长条件,并且生长出了厚度达100μm,尺度约5mm×7mm的无支承的与衬底相分离的氮化镓单晶膜.
本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降...
GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm...
该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得的困难,研究了Mg掺杂GaN的激活机制.优化并...
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的A...
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外...
GaN纳米颗粒,GaN纳米线等低维纳米结构材料因在三维或两维方向上同时维度受到限制.更容易呈现出一些不同于常规体材料的独特性能,在未来的纳米光电器件领域有着诱人的应用前景,引起研究人员的广泛关注.但目...
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进...
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，...
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不...
AlxGal-xN/GaN 异质结构是一种典型的高导带阶跃、强极化半导体低维量子体系,在高温、高频、高功率电子器件领域有重要应用。与 AlxGal-xAs/GaAs 异质结构相比,AlxGal-xN/...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降...
GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm...
该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得的困难,研究了Mg掺杂GaN的激活机制.优化并...
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的A...
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外...
GaN纳米颗粒,GaN纳米线等低维纳米结构材料因在三维或两维方向上同时维度受到限制.更容易呈现出一些不同于常规体材料的独特性能,在未来的纳米光电器件领域有着诱人的应用前景,引起研究人员的广泛关注.但目...
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进...
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，...
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不...
AlxGal-xN/GaN 异质结构是一种典型的高导带阶跃、强极化半导体低维量子体系,在高温、高频、高功率电子器件领域有重要应用。与 AlxGal-xAs/GaAs 异质结构相比,AlxGal-xN/...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降...
GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm...
该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得的困难,研究了Mg掺杂GaN的激活机制.优化并...