Add to ORKG我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外延生长区间图。
研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效...
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击...
(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...
采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或...
GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节(从0到1.95eV),而且在 GaN 中电子饱和速度...
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的...
该论文通过在大量的实验基础和理论分析之上,首先对在氮化镓基的器件中一种重要而且基本的结构--AlGaN/GaN异质结作了系统的分析与研究;其次,在国内首次采用氢化物气相外延法(HVPE)与金属有机物气...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第21270号工博第4498号新制||工||1700(附属図書館)京都大学大学院工学研究科電子工学専攻(主査)教授 野田 進, 教授 藤田 静雄, 教授 川...
用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样...
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的A...
AlxGal-xN/GaN 异质结构是一种典型的高导带阶跃、强极化半导体低维量子体系,在高温、高频、高功率电子器件领域有重要应用。与 AlxGal-xAs/GaAs 异质结构相比,AlxGal-xN/...
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)...
在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触,讨...
AlxGa1-xN/GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN/GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效...
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击...
(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...
采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或...
GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节(从0到1.95eV),而且在 GaN 中电子饱和速度...
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的...
该论文通过在大量的实验基础和理论分析之上,首先对在氮化镓基的器件中一种重要而且基本的结构--AlGaN/GaN异质结作了系统的分析与研究;其次,在国内首次采用氢化物气相外延法(HVPE)与金属有机物气...
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用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样...
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的A...
AlxGal-xN/GaN 异质结构是一种典型的高导带阶跃、强极化半导体低维量子体系,在高温、高频、高功率电子器件领域有重要应用。与 AlxGal-xAs/GaAs 异质结构相比,AlxGal-xN/...
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)...
在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触,讨...
AlxGa1-xN/GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN/GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效...
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击...
(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...