采用标准0.35 μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1～10.6 GHz的超宽带低噪声放大器.从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计.结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器.在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5 V,电流消耗为4.38 mA.中文核心期刊要目总览(PKU)中国科技核心期刊(ISTIC)中国科学引文数据库(CSCD)0178-814
Integrated wideband low-noise amplifiers (LNAs) are used in communication applications in which eit...
本研究以Chebyshev低通阻抗轉換網路為匹配架構，設計C類寬頻功率放大器(power amplifier，簡稱PA)，涵蓋LTE(Long Term Evolution)頻段1至頻段4。其中匹配電...
[[abstract]]本論文分為兩個部分，第一部分為第三章，主要是介紹具寬截止頻帶之高諧波抑制低通濾波器，利用巴特沃茲濾波器設計公式得到低通濾波器雛形，選擇階數為 6 來達到高選擇性；而在頻帶外，在...
[[abstract]]本論文共設計了一個低雜訊放大器及壓控振盪器線路設計，以900MHZ低雜訊放大器設計為主要架構，這具有改善消秏功率的CS組態，ADS模擬結果顯示了其具有大於16 199dB的功率...
低雜訊放大器為超音波生醫儀器中關鍵性之零件，其作用為可放大從組織中反射之微小信號且不放大雜訊，超音波探頭與低雜訊放大器之阻抗匹配為相當重要之一環，其功用為在所需頻帶內提供穩定之增益。現今之低雜訊放大器...
[[abstract]]本篇論文提出一個操作在1.8V供應電壓，應用於射頻(radio frequency)接收端的低雜訊放大器(low-noise amplifier, LNA)，放大器適用於無線藍...
A 3.1-10.6 GHz ultra wideband LNA was designed using standard 0.35 ??m SiGe HBT process. The simulat...
功率放大器是UHF RFID系统的重要模块,也是RFID系统中功耗最大的器件.本文采用TSMC0.18rf CMOS工艺,设计了一款用于RFID的线性功率放大器.在915 MHz频段,最大输出功率为1...
碩士積體電路設計研究所[[abstract]]本論文主要是利用台積電的0.18微米1P6M CMOS製程設計應用於超寬頻系統前端電路中之低雜訊放大器。第一顆晶片是應用於2到11 GHz低雜訊放大器，這...
低雜訊放大器 (Low Noise Amplifier, LNA) 在日益蓬勃發展的射頻無線通訊應用上, 可以說是不可或缺的一環，因為低雜訊大器位處射頻收發器電路的最前端, 用於放大所接收 之微弱射頻...
The ultra-wideband (UWB) wireless transmission system is drawing tremendous attention from both the ...
[[abstract]]本論文主要以台積電180奈米CMOS製程來實現K-Band低雜訊放大器。研究主題由以下構成: 論文內容所敘述為應用於K頻帶系統之22~26 GHz低雜訊放大器。為了縮小晶片面積...
本文介绍了Ku波段宽带低噪声放大器的研制过程。该放大器将应用于上海天文台制造的Ku波段接收机中。该文介绍了这种Ku波段宽带低噪声放大器的设计原理和方法，并给出了仿真和实测结果。 该放大器采用N...
The calculation and design of an ultralow-power Low Noise Amplifier (LNA) are proposed in this paper...
英文摘要 ： In this report, several key circuit blocks for wideband receiver will be presented, including...
Integrated wideband low-noise amplifiers (LNAs) are used in communication applications in which eit...
本研究以Chebyshev低通阻抗轉換網路為匹配架構，設計C類寬頻功率放大器(power amplifier，簡稱PA)，涵蓋LTE(Long Term Evolution)頻段1至頻段4。其中匹配電...
[[abstract]]本論文分為兩個部分，第一部分為第三章，主要是介紹具寬截止頻帶之高諧波抑制低通濾波器，利用巴特沃茲濾波器設計公式得到低通濾波器雛形，選擇階數為 6 來達到高選擇性；而在頻帶外，在...
[[abstract]]本論文共設計了一個低雜訊放大器及壓控振盪器線路設計，以900MHZ低雜訊放大器設計為主要架構，這具有改善消秏功率的CS組態，ADS模擬結果顯示了其具有大於16 199dB的功率...
低雜訊放大器為超音波生醫儀器中關鍵性之零件，其作用為可放大從組織中反射之微小信號且不放大雜訊，超音波探頭與低雜訊放大器之阻抗匹配為相當重要之一環，其功用為在所需頻帶內提供穩定之增益。現今之低雜訊放大器...
[[abstract]]本篇論文提出一個操作在1.8V供應電壓，應用於射頻(radio frequency)接收端的低雜訊放大器(low-noise amplifier, LNA)，放大器適用於無線藍...
A 3.1-10.6 GHz ultra wideband LNA was designed using standard 0.35 ??m SiGe HBT process. The simulat...
功率放大器是UHF RFID系统的重要模块,也是RFID系统中功耗最大的器件.本文采用TSMC0.18rf CMOS工艺,设计了一款用于RFID的线性功率放大器.在915 MHz频段,最大输出功率为1...
碩士積體電路設計研究所[[abstract]]本論文主要是利用台積電的0.18微米1P6M CMOS製程設計應用於超寬頻系統前端電路中之低雜訊放大器。第一顆晶片是應用於2到11 GHz低雜訊放大器，這...
低雜訊放大器 (Low Noise Amplifier, LNA) 在日益蓬勃發展的射頻無線通訊應用上, 可以說是不可或缺的一環，因為低雜訊大器位處射頻收發器電路的最前端, 用於放大所接收 之微弱射頻...
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[[abstract]]本論文主要以台積電180奈米CMOS製程來實現K-Band低雜訊放大器。研究主題由以下構成: 論文內容所敘述為應用於K頻帶系統之22~26 GHz低雜訊放大器。為了縮小晶片面積...
本文介绍了Ku波段宽带低噪声放大器的研制过程。该放大器将应用于上海天文台制造的Ku波段接收机中。该文介绍了这种Ku波段宽带低噪声放大器的设计原理和方法，并给出了仿真和实测结果。 该放大器采用N...
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[[abstract]]本論文分為兩個部分，第一部分為第三章，主要是介紹具寬截止頻帶之高諧波抑制低通濾波器，利用巴特沃茲濾波器設計公式得到低通濾波器雛形，選擇階數為 6 來達到高選擇性；而在頻帶外，在...
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