高功率GaN基LED器件的研究现状与发展

自从1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管(LED)以来，使LED发出全部颜色可见光的努力就没有停止过。AlGaInP材料制成的LED可以覆盖从红光(650nm)到黄光(580nm)的范围。1993年，日本的Nakamura解决了p型GaN的掺杂问题，成功研制出了GaN基蓝光LED，在此基础上采用AlGaInN制作的LED光谱覆盖了从近紫外(380nm)到绿光(530nm)的范围。现在，LED覆盖了几乎所有可见光的范围。LED得到了广泛的应用。蓝宝石衬底上的LED器件由于结构的限制，使得器件的内外量子效率并不能够达到一个较高的水平，并且，由于器件的光效不高，导致器件的热效率上升，而GaN基LED器件的差的导热特性使得器件在工作时产生的热量不能够有效地传递走，造成结温的升高，这样的现象在大功率LED器件的制备总显得尤为的突出，因此，极大的限制了GaN基LED器件往高功率的方向的发展。本文研究指出采用Micro-area YAG激光剥离技术制备厚膜自支撑LED垂直结构LED器件很可能成为未来高功率LED器件结构的发展方向。