Add to ORKG我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型探测器.其中,器件最短的截止波长为307nm,紫外/可见光(UV/visible)达到103以上。
GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节(从0到1.95eV),而且在 GaN 中电子饱和速度...
通过对GaAs/AlGaAs异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究,以及对器件工作特性的测量分析,在理论上给出了器件过程的物理机制,并对器件结果提出了进一步的改进措施
本文研究了在空气和氧气等离子体中的氧化对P-型GaN上的Ni/Au透明电极的影响.发现在500℃时接触电阻随合金温度逐渐降低并趋于饱和.而等离子体气氛下的氧化会升高接触电阻.但在N<,2...
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED的发展历程、技术路线和研...
氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一.浅杂质(包括P型和n型的)离子注入GaN是研究GaN的主要课题之一.本文研究注碳(C)GaN经不同温度退火后的Raman和Hal...
AlN材料凭借其带隙宽(～6.1eV)、热稳定性以及热传导性好等特点在许多领域具有重要的用途,尤其是发展紫外光源和紫外探测器的绝佳材料,因此研究AlN薄膜的结构和光学性质尤为重要。尽管近些年,AlN的...
采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外...
用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样...
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击...
报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED
紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值.探讨了AlGaN pin 紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器件性能的影响.提出改进pin紫外探测器性能的措施.
AlxGa1-xN/GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN/GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第21270号工博第4498号新制||工||1700(附属図書館)京都大学大学院工学研究科電子工学専攻(主査)教授 野田 進, 教授 藤田 静雄, 教授 川...
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极...
GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节(从0到1.95eV),而且在 GaN 中电子饱和速度...
通过对GaAs/AlGaAs异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究,以及对器件工作特性的测量分析,在理论上给出了器件过程的物理机制,并对器件结果提出了进一步的改进措施
本文研究了在空气和氧气等离子体中的氧化对P-型GaN上的Ni/Au透明电极的影响.发现在500℃时接触电阻随合金温度逐渐降低并趋于饱和.而等离子体气氛下的氧化会升高接触电阻.但在N<,2...
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题，对UV—LED的发展历程、技术路线和研...
氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一.浅杂质(包括P型和n型的)离子注入GaN是研究GaN的主要课题之一.本文研究注碳(C)GaN经不同温度退火后的Raman和Hal...
AlN材料凭借其带隙宽(～6.1eV)、热稳定性以及热传导性好等特点在许多领域具有重要的用途,尤其是发展紫外光源和紫外探测器的绝佳材料,因此研究AlN薄膜的结构和光学性质尤为重要。尽管近些年,AlN的...
采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外...
用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样...
报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击...
报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED
紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值.探讨了AlGaN pin 紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器件性能的影响.提出改进pin紫外探测器性能的措施.
AlxGa1-xN/GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN/GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第21270号工博第4498号新制||工||1700(附属図書館)京都大学大学院工学研究科電子工学専攻(主査)教授 野田 進, 教授 藤田 静雄, 教授 川...
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极...
GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节(从0到1.95eV),而且在 GaN 中电子饱和速度...
通过对GaAs/AlGaAs异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究,以及对器件工作特性的测量分析,在理论上给出了器件过程的物理机制,并对器件结果提出了进一步的改进措施
本文研究了在空气和氧气等离子体中的氧化对P-型GaN上的Ni/Au透明电极的影响.发现在500℃时接触电阻随合金温度逐渐降低并趋于饱和.而等离子体气氛下的氧化会升高接触电阻.但在N<,2...