Investigation On Thermal Stability of Ni(Zr)Si Thin Film and Electrical Characteristics of Its Schottky Barrier Diode

提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1.中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)061197-12022