建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得到的氧化层厚度小,其偏差在0.3nm范围内.国家重点基础研究发展计划(973计划); 高等学校博士学科点专项科研项目中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)05516-5192
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性 .干涉方法揭...
给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法,数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度,用这种方法估计得到的界面宽度在0.3nm左右.国防科技重点实验室...
研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变...
An empirical expression for the direct tunneling (DT) current is obtained. This expression can be us...
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而...
[[abstract]]As MOSFETs are scaled, the gate oxide thickness is becoming smaller and smaller. Gate tu...
This paper presents a compact direct tunneling current model for circuit simulation to predict ultra...
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的氧化层的影响.对于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响,数值模拟的结果表明:界面...
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄...
Aggressive scaling of MOS devices requires use of ultra-thin gate oxides to maintain a reasonable sh...
随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素．数值求解的结果表明：镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响．利用WKB近似方法，获得了镜像势对直接...
给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度...
An efficient direct tunneling current model is presented for the ultra thin gate dielectric MOS stru...
给出了一种利用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.用干...
Abstract—A semi-empirical model is proposed to quantify the tunneling currents through ultrathin gat...
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性 .干涉方法揭...
给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法,数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度,用这种方法估计得到的界面宽度在0.3nm左右.国防科技重点实验室...
研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变...
An empirical expression for the direct tunneling (DT) current is obtained. This expression can be us...
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而...
[[abstract]]As MOSFETs are scaled, the gate oxide thickness is becoming smaller and smaller. Gate tu...
This paper presents a compact direct tunneling current model for circuit simulation to predict ultra...
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的氧化层的影响.对于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响,数值模拟的结果表明:界面...
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄...
Aggressive scaling of MOS devices requires use of ultra-thin gate oxides to maintain a reasonable sh...
随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素．数值求解的结果表明：镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响．利用WKB近似方法，获得了镜像势对直接...
给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度...
An efficient direct tunneling current model is presented for the ultra thin gate dielectric MOS stru...
给出了一种利用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.用干...
Abstract—A semi-empirical model is proposed to quantify the tunneling currents through ultrathin gat...
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验证了干涉方法的可行性 .干涉方法揭...
给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法,数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度,用这种方法估计得到的界面宽度在0.3nm左右.国防科技重点实验室...
研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变...
DOI
Add to ORKG