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Test analysis of ion-implanted PIN radiation detectors

陈鸿飞
邹积清
田大宇
张太平
宁宝俊
张录

Publication date

January 2005

DOI

10.3969/j.issn.0258-0934.2005.05.001

Publisher

核电子学与探测技术

Journal

0258-0934

Abstract

利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300～1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.在平均25.7℃下,漏电流在14nA左右,噪声水平约为7.4 keV,能谱分辨率约为16.9 keV.由于噪声水平较ORTEC探测器低,说明还有提高能谱分辨率的余地.北京市教委共建项目中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)05457-4602

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