Add to ORKG本文详细介绍了MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光发射二级管(LED)的发射波长,电流/电压,发光强度,反向漏电等性能的稳定性问题的实验研究.结果表明,这些参数在室温长时间使用下,都会发生不同程度的变化.
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外...
为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)...
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/Al<,2>O<,3>衬底上生长GaN的PL特性与在...
(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...
通过用 MOCVD 方法生长出单晶(Ga,Mn)N 稀磁半导体材料,并研究了此材料的磁学特性和电子结构特性。超导量子干涉仪测量系统(SQUID)表明(Ga,Mn)N 材料在室温条件下具有明显的铁磁性。...
AlGaN/GaN异质结兰光激光器和发光管近年来得到很大的发展.高速和高功率的AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)的研究也得到很大的重视.AlGaN薄层中的Al组分是决定此类器件的设计和性能的...
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生...
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不...
介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡...
研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500～600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇...
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外...
为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)...
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/Al<,2>O<,3>衬底上生长GaN的PL特性与在...
(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...
通过用 MOCVD 方法生长出单晶(Ga,Mn)N 稀磁半导体材料,并研究了此材料的磁学特性和电子结构特性。超导量子干涉仪测量系统(SQUID)表明(Ga,Mn)N 材料在室温条件下具有明显的铁磁性。...
AlGaN/GaN异质结兰光激光器和发光管近年来得到很大的发展.高速和高功率的AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)的研究也得到很大的重视.AlGaN薄层中的Al组分是决定此类器件的设计和性能的...
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生...
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不...
介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡...
研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500～600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇...
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外...