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Fabrication of Si Radiation Detector with Plane Technology

张太平
张录
宁宝俊
田大宇
刘诗美
张洁天
郭昭乔
陈世媛
CHEN Shi-yuan

Publication date

January 2001

DOI

10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.022

Publisher

半导体学报

Journal

issn:0253-4177

Abstract

使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管．采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流)，这对于提高器件性能起到了关键作用．电压为-5V时,探测器的暗电流可达nA/cm2量级．讨论了器件暗电流与少子寿命的关系．中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)03354-3572

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