Electrical Properties of Solid C70/GaAs Heterojunctions

在高真空系统中，将C70膜淀积在n-和p-GaAs(100)衬底上，制成C70/n-GaAs和C70/p-GaAs两种接触，并对它们的电学性质作了研究．结果发现两种接触均为强整流结，在偏压为±1V时，C70/n-GaAs和C70/p-GaAs接触的整流比分别大于106和104，并且它们的理想因子都接近于1．当正向偏压固定时，它们的电流均是温度倒数的指数函数，从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为0.784和0.531eV．用深能级瞬态谱（DLTS）在C70/GaAs界面上观察到电子陷阱E(0.640eV)和空穴陷阱H3(0.822eV),以及用电容-时间（C-t）技术在固体C70中观测到两种空穴陷阱H4（1.155eV）和H5（0.856eV）．E(0.640eV) 和 H3(0.822eV) 的密度均小于1012/cm2,可以得出结论：固体C70对GaAs表面具有很好的钝化作用．国家自然科学基金中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)08985-9912