Scanning Tunneling Microscopy Study of Gd @ C82 on Si( 111 ) 7 × 7 Surface

用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性.STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定.扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性.分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化.中国科学院资助项目; 国家重点基础研究发展计划(973计划)中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)0143-472