Add to ORKG用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２００～３５０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，双晶衍射半峰宽为７′，室温ＰＬ光谱本征发光波长为３７０ｎｍ，并首次观察到掺ＺｎＧａＮ呈ｐ型电导。0057-1
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在P型GaN和InGaN/GaN多量了阱(M...
利用有限元法，研究了GaN／AlN自组织量子点材料的应变场分布。量子点模型采用了实验观察到的六角平顶金字塔形状，材料的弹性常数考虑了晶体材料的Wurtzite结构特性。在晶格失配处理上，采用了三维各项...
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
提出了一种利用x射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法．该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度，此比值与GaN样品厚度在t＜2μm为线性关系．该方法消除了因Ga...
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用...
通过薛定谔-泊松方程的自恰求解,计算了外电场对AlN/GaN耦合双量子阱中子带间跃迁吸收系数和子带间距的影响。当外电场作用在AlN/GaN耦合双量子阱上时,基态到第二激发态(1奇-2奇)的了带间跃迁吸...
作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的激射．首先采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长．然后在表面沉积高反射介质膜分布布...
研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再...
由于在数字、图象信息的显示和处理、高密度光存储、水下通信、高温大功率器件等领域的广阔应用前景，GaN系材料已经当今世界各国科技和产业界的关注热点。随着GaN在蓝光发光二极管、激光二极管不断取得进展，如...
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
<span>利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
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利用有限元法，研究了GaN／AlN自组织量子点材料的应变场分布。量子点模型采用了实验观察到的六角平顶金字塔形状，材料的弹性常数考虑了晶体材料的Wurtzite结构特性。在晶格失配处理上，采用了三维各项...
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
提出了一种利用x射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法．该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度，此比值与GaN样品厚度在t＜2μm为线性关系．该方法消除了因Ga...
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用...
通过薛定谔-泊松方程的自恰求解,计算了外电场对AlN/GaN耦合双量子阱中子带间跃迁吸收系数和子带间距的影响。当外电场作用在AlN/GaN耦合双量子阱上时,基态到第二激发态(1奇-2奇)的了带间跃迁吸...
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由于在数字、图象信息的显示和处理、高密度光存储、水下通信、高温大功率器件等领域的广阔应用前景，GaN系材料已经当今世界各国科技和产业界的关注热点。随着GaN在蓝光发光二极管、激光二极管不断取得进展，如...
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在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
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GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
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