描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA.对239Pu α粒子的能量分辨为0.5%~0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%~8%.中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)06551-5542
目的:比较指型电离室、针点电离室、平行板电离室、液体电离室、半导体探测器、宝石探测器等多种电离辐射探测器测量剂量时的空间分辨率.方法:以胶片剂量探测器的测量结果为基准.用三维水箱扫描同一高剂量梯度区的...
The current and possible uses of semiconductor solid state detectors in nuclear physics are briefly ...
The current and possible uses of semiconductor solid state detectors in nuclear physics are briefly ...
描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果. 这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm. P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16条,相...
介绍了由中国科学院近代物理研究所和北京大学微电子研究院联合研制的双面硅多条探测器的初步测试过程及测试结果。测试内容包括:探测器的电特性、能量分辨率、二维能谱、条间串扰(crosstalk)。在-25 ...
采用电子学等效方法对所研制的Si-PIN条带探测器的基本性能进行测试.Si-PIN条带探测器是在一个硅基片上刻蚀多个条带探测器,常用于空间探测中的粒子方向测量.介绍了对Si-PIN条带探测器电子学等效...
The technics and test results and preliminary applications of Si multi-strip detector fabricated by ...
使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管.采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流),这对于提高器件性能起到了关键作用.电压为-5...
量子信号处理是一种基于量子检测原理的信号处理框架.本文通过借鉴量子信号处理的思想,给出了一种新的线性多用户检测器:加权正交匹配滤波检测器.理论分析和仿真结果表明:新检测器只需要多用户系统中的扩频码已知...
由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测.在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器.由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型...
介绍了利用硅探测器的脉冲形状甄别进行粒子鉴别的原理.详细叙述了基于数字化方法的脉冲形状甄别的实现.采样频率和位数是数字化方法的两个重要参数.对于硅探测器信号,采用100 MS/s,12 bit的Dig...
Multi-element silicon strip detectors, in conjunction with integrated circuit pulse-processing elect...
Tyt. z ekranu tytułowego.Praca doktorska. Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica (Kraków...
介绍了一个峰保持电路。该电路适用于silicon strip,Si(Li),CdZn Te and CsI等探测器,实现采样-保持功能。已成功进行了基于CMOSFET的采样-保持电路的设计和仿真,通过...
Tässä työssä toteutettiin tiedonkeruujärjestelmä piimikronauhailmaisimien LHC kokeisiin tähtäävään k...
目的:比较指型电离室、针点电离室、平行板电离室、液体电离室、半导体探测器、宝石探测器等多种电离辐射探测器测量剂量时的空间分辨率.方法:以胶片剂量探测器的测量结果为基准.用三维水箱扫描同一高剂量梯度区的...
The current and possible uses of semiconductor solid state detectors in nuclear physics are briefly ...
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描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果. 这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm. P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16条,相...
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使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管.采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流),这对于提高器件性能起到了关键作用.电压为-5...
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由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测.在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器.由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型...
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