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Effects of annealing on the properties of the Mg-ion implanted p-GaN layer

罗浩俊
胡成余
姚淑德
秦志新

Publication date

January 2006

DOI

10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.002

Publisher

材料研究学报

Journal

issn:1005-3093

Abstract

在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子,然后在N2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀.在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm-1和360 cm-1两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1&#215;1014cm-2是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.中国科学院资助项目中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)02120-1242

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