研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系.利用变频光泵效应讨论了超薄栅MOSFET低电压应力下衬底电流的来源,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系.国家重点基础研究发展计划(973计划)中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)05999-10042
本文主要是針對絕緣層上矽金氧半電晶體（Silicon on Insulator MOS）於低溫下(Low Temperature)，對於元件通道寬度(Device Width)之變化效應(Channe...
Abstract—We have investigated the properties of soft break-down (SBD) in thin oxide (4.5 nm) nMOSFET...
建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得到的氧化层...
The characteristics of the substrate current (Isub) after soft breakdown (SBD) in ultra-thin gate ox...
研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变...
研究了不同厚度的超薄栅1.9nm到3.0nm器件在恒压应力下的栅电流变化.实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的.国家重点基础研究...
In this work, the characteristics of the substrate current (I sub) to soft breakdowns (SBDs) in n-MO...
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-MOS器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响.实验发现衬底正偏压对沟长1.135 μm,栅氧化层厚度2.5 n...
利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一...
In this work, the characteristics of the substrate current to soft breakdowns (SBDs) in n-MOSFETs we...
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象.分别利用在栅介质上加恒流应...
研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型.发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化,随着栅电压降低,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变,而薄氧化层没有这种情况,始终是界面...
研究了沟长从0.525μm到1.025μm 9nm厚的P-MOSFETs在关态应力(Vgs＝0，Vds＜0)下的热载流子效应．讨论了开态和关态应力．结果发现由于在漏端附近存在电荷注入，关态漏电流在较高...
通过对不同氧化层厚度的N-MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究,发现栅电压漂移符合Weibull分布.Weibull分布统计分析表明,5.0、7.0和9.0nm器件在27和105C下本征失效的形...
利用磁控溅射的方法在p-Si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究.利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积HfO2薄栅介质的击...
本文主要是針對絕緣層上矽金氧半電晶體（Silicon on Insulator MOS）於低溫下(Low Temperature)，對於元件通道寬度(Device Width)之變化效應(Channe...
Abstract—We have investigated the properties of soft break-down (SBD) in thin oxide (4.5 nm) nMOSFET...
建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得到的氧化层...
The characteristics of the substrate current (Isub) after soft breakdown (SBD) in ultra-thin gate ox...
研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退化是连续变...
研究了不同厚度的超薄栅1.9nm到3.0nm器件在恒压应力下的栅电流变化.实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的.国家重点基础研究...
In this work, the characteristics of the substrate current (I sub) to soft breakdowns (SBDs) in n-MO...
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-MOS器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响.实验发现衬底正偏压对沟长1.135 μm,栅氧化层厚度2.5 n...
利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一...
In this work, the characteristics of the substrate current to soft breakdowns (SBDs) in n-MOSFETs we...
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象.分别利用在栅介质上加恒流应...
研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型.发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化,随着栅电压降低,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变,而薄氧化层没有这种情况,始终是界面...
研究了沟长从0.525μm到1.025μm 9nm厚的P-MOSFETs在关态应力(Vgs＝0，Vds＜0)下的热载流子效应．讨论了开态和关态应力．结果发现由于在漏端附近存在电荷注入，关态漏电流在较高...
通过对不同氧化层厚度的N-MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究,发现栅电压漂移符合Weibull分布.Weibull分布统计分析表明,5.0、7.0和9.0nm器件在27和105C下本征失效的形...
利用磁控溅射的方法在p-Si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究.利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积HfO2薄栅介质的击...
本文主要是針對絕緣層上矽金氧半電晶體（Silicon on Insulator MOS）於低溫下(Low Temperature)，對於元件通道寬度(Device Width)之變化效應(Channe...
Abstract—We have investigated the properties of soft break-down (SBD) in thin oxide (4.5 nm) nMOSFET...
建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得到的氧化层...
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