从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小.国家自然科学基金; 国家高技术研究发展计划(863计划)中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)081458-14622
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐...
GaN 系半導体材料は結晶成長，プロセス技術に大きな進展を成し遂げ，光デバイスだけでなく，電子デバイス応用としても高出力パワーアンプ，パワースイッチングの分野で実用化を迎える段階に研究開発が進展した．...
以Ⅲ族氮化物为材料制作的紫外发光二极管（LED）在水质净化、医疗器械、全彩显示、光学存储以及白光照明等领域有着重要的应用。但是低量子效率和低光输出功率却制约着深紫外LED的发展。通过在量子阱和p型层间...
研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的...
<p> <span style="text-transform: none; background-color: rgb(255,255,255); text-indent: 0px; displa...
The effects of Al composition in p-type AlGaN electron blocking layer (EBL) on electron leakage and ...
[[abstract]]A high energy bandgap electron blocking layer (EBL) just behind the active region is con...
We investigate the advantage of tapered and graded AlGaN electron blocking layer (EBL) in InGaN-base...
Simulations of blue and green laser diodes with InGaN quantum wells are presented. In this study, a ...
利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质结,辐照剂量分别为1&#215;1015/cm2和5&#215;1015/cm2.电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐照剂量的增...
(接2005年第9期第699页) 3金属有机化学气相沉积外延技术生长以蓝宝石为衬底InGaN/GaN基激光二极管 如今,InGaN/GaN基量子阱发光二极管已经商业化,而且InGaN/GaN基量子阱激...
We investigate the advantage of tapered and graded AlGaN electron blocking layer (EBL) in InGaN-base...
In order to reduce the internal optical loss of InGaN laser diodes, an unintentionally doped GaN (u-...
In pursuit of a more efficient GaN-based laser diode, a multi-layer structure has recently been prop...
介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性,称之为正向交流小信号法.利用该方法深入地研究和对比分析了GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特...
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐...
GaN 系半導体材料は結晶成長，プロセス技術に大きな進展を成し遂げ，光デバイスだけでなく，電子デバイス応用としても高出力パワーアンプ，パワースイッチングの分野で実用化を迎える段階に研究開発が進展した．...
以Ⅲ族氮化物为材料制作的紫外发光二极管（LED）在水质净化、医疗器械、全彩显示、光学存储以及白光照明等领域有着重要的应用。但是低量子效率和低光输出功率却制约着深紫外LED的发展。通过在量子阱和p型层间...
研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的...
<p> <span style="text-transform: none; background-color: rgb(255,255,255); text-indent: 0px; displa...
The effects of Al composition in p-type AlGaN electron blocking layer (EBL) on electron leakage and ...
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利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质结,辐照剂量分别为1&#215;1015/cm2和5&#215;1015/cm2.电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐照剂量的增...
(接2005年第9期第699页) 3金属有机化学气相沉积外延技术生长以蓝宝石为衬底InGaN/GaN基激光二极管 如今,InGaN/GaN基量子阱发光二极管已经商业化,而且InGaN/GaN基量子阱激...
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介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性,称之为正向交流小信号法.利用该方法深入地研究和对比分析了GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特...
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐...
GaN 系半導体材料は結晶成長，プロセス技術に大きな進展を成し遂げ，光デバイスだけでなく，電子デバイス応用としても高出力パワーアンプ，パワースイッチングの分野で実用化を迎える段階に研究開発が進展した．...
以Ⅲ族氮化物为材料制作的紫外发光二极管（LED）在水质净化、医疗器械、全彩显示、光学存储以及白光照明等领域有着重要的应用。但是低量子效率和低光输出功率却制约着深紫外LED的发展。通过在量子阱和p型层间...
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