室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜的制备方法

本发明提供一种室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件制备领域。该方法首先采用溶胶—凝胶法制备Co掺杂TiO2溶胶，将溶胶旋涂在单晶硅衬底上形成CoxTi1-xO2薄膜，该CoxTi1-xO2薄膜在真空下直接退火晶化后，即具有室温铁磁性；该CoxTi1-xO2薄膜在空气中退火晶化后并不具有室温铁磁性，而经过真空或者含氢气氛下二次退火后，也可获得室温铁磁特性。采用本发明可制得具有室温铁磁性的半导体Co掺杂的TiO2薄膜。