本发明公开了一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法,所述装置包括行选择器,第一列选择器,第二列选择器和监测管。所述监测MOS管阵列阈值电压的方法利用上述装置,通过对待测MOS管阵列中的MOS管和监测管的电路连接,使得原本难以监测的MOS管阵列阈值电压的分布及漂移能够方便读出,大大缩短测量时间。
在固定床反应器中系统地考察了叔丁醇部分氧化制甲基丙烯醛催化剂的反应性能.研究表明,反应温度、原料配比、空速等对催化剂反应性能有显著影响,最佳反应条件为反应温度380℃,O2:IB=3和空速1800h-...
本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应...
钱德勒的《看得见的手——美国企业的管理革命》,是我读过的最好的经济学分析之一。钱德勒的最大贡献是用新制度经济学的方法分析和描述了具有管理协调能力的职业经理阶层怎样催生和兴起现代工商企业的历史和演进过程...
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验...
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验...
MOS形電界効果トランジスタはSi-SiO2界面を利用したデバイスであるために,界面付近の表面単位の影響をうけて,低周波において1/f雑音とよばれるかなり大きな雑音を発生する.しかし,その発生機構はま...
遷移金属ダイカルコゲナイドの 1 種であるバルク MoTe₂は2種類の安定構造を有し、構造により間接型半導体と近年盛んに研究されているワイル半金属的性質という異なる物性を示すことで注目を集めている。今...
利用金属蒸汽真空弧放电离子源对H13钢样品进行Mo+C双离子注入,离子引出电压为40kV,Mo和C的注入剂量分别为6×1017ions/cm2和9×1017ions/cm2。利用阳极极化扫描方法测量样...
本文主要测定氧化及硫化形式的Ni-Mo,Co-Mo催化剂的吡啶吸附红外光谱。实验结果表明,MoO_3能很好地分散在催化剂表面上,而表面上的OH基团对这种分散起着重要的作用。 红外光谱也表明,助剂Co和...
稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光...
以(NH4)6Mo7O24·4H2O为前驱体通过简单的焙烧方法制备非负载型MoO3催化剂,通过低温N2吸附、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和H2程序升温还原(H2-TPR)技术对催化...
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。...
政府管制是一种复杂的现象和制度安排,作为一种经济决策,它通常采用法律的形式和程序,而公共政策的特性,又使得每一项管制措施的出台都是政治压力相互调和平衡的结果。一般把政府管制分为经济管制和社会管制。经济...
美国医学有严格的规定规范,由法制系统,政府,企业,保险公司和消费者共同驱动,应保证安全,注重管理和降低花费的要求驱动,是培养有信誉的医师的手段并建立医学实践特权,驱使实践标
利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,...
在固定床反应器中系统地考察了叔丁醇部分氧化制甲基丙烯醛催化剂的反应性能.研究表明,反应温度、原料配比、空速等对催化剂反应性能有显著影响,最佳反应条件为反应温度380℃,O2:IB=3和空速1800h-...
本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应...
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通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验...
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在固定床反应器中系统地考察了叔丁醇部分氧化制甲基丙烯醛催化剂的反应性能.研究表明,反应温度、原料配比、空速等对催化剂反应性能有显著影响,最佳反应条件为反应温度380℃,O2:IB=3和空速1800h-...
本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应...
钱德勒的《看得见的手——美国企业的管理革命》,是我读过的最好的经济学分析之一。钱德勒的最大贡献是用新制度经济学的方法分析和描述了具有管理协调能力的职业经理阶层怎样催生和兴起现代工商企业的历史和演进过程...