提出了一种新的可靠的晶圆级1/f噪声测量方法和架构.测试架构采用了吉时利的一系列仪器,包括4200-SCS、428和一个低通滤波器,并且采用了吉时利的自动特征分析套件(ACS)软件来控制测量仪器的操作,采集/分析测得的数据.由于所用的低通滤波器能够消除所有高于0.5 Hz的噪声,因此大大提高了1/f噪声的测量精度.利用这一测量架构能够在各种偏压条件下评测具有不同尺寸的nMOS和pMOS器件的1/f噪声特征.中文核心期刊要目总览(PKU)中国科技核心期刊(ISTIC)中国科学引文数据库(CSCD)04315-3173
Kaedah nyah-benaman pengukuran Angka Hingar (AH) atas-wafer untuk Litar Bersepadu Frekuensi Radio (L...
ウェーブメモリ(NF製WM-852)とマイクロコンピュータ(日立製ベーシックマスターレベル3マーク5)を用いて、積算器を製作した。記憶容量は、1024ワード、サンプリング時間は、50n秒から1秒、積算...
ウェーブメモリ(NF製WM-852)とマイクロコンピュータ(日立製ベーシックマスターレベル3マーク5)を用いて、積算器を製作した。記憶容量は、1024ワード、サンプリング時間は、50n秒から1秒、積算...
In this paper, a new robust measureement method and setup on the 1/f noise of wafer level is develop...
在噪声防治工作中,准确测定和评估工人的噪声暴露水平非常重要.由于生产现场噪声不断变化,工人的工作位置也在变化,所以,准确测定和评估工人的噪声暴露水平面临许多困难.为了解决噪声防治工作需要与噪声测定技术...
噪声是生产环境中最常见的职业有害因素.噪声测量与评价是工业噪声防治工作的基础,也是工作的难点[1-2].传统的工业噪声测量多采用针对生产环境和噪声源的定点定时噪声测量方法[3-5],在测量评价复杂环境...
提出了一个新的解析的适用于SOI MOSFET's的高频噪声模型.该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述.同时,利用该模型可以...
• Parameter extraction and statistical analysis are based on Accurate on-wafer measurement results: ...
采用锁相放大器从液氮温度到室温实时记录超巨磁电阻材料Pr0.67Sr0.33MnO3 1/f噪声的大小随温度的变化.在电阻峰值温度约为160K的样品上,在略低于峰值温度处观测到温度宽度约为5K的1/f...
为了优化不同波段红外读出电路的噪声性能,给出了系统的CTIA结构读出电路噪声模型,分析了积分电容与积分时间对不同成分噪声的影响,得出了在不同红外波段探测下,噪声随积分参数取值的变化曲线。该优化研究将红...
MOS形電界効果トランジスタはSi-SiO2界面を利用したデバイスであるために,界面付近の表面単位の影響をうけて,低周波において1/f雑音とよばれるかなり大きな雑音を発生する.しかし,その発生機構はま...
本論文主要分析三維積體電路中,由於矽穿孔上電流產生的基板雜訊對電路造成的影響。透過參考三維傳輸線矩陣方法,本文提出一準確之等效電路模型,可以在極近的矽穿孔間距之下,得到準確的基板雜訊模擬結果。在提出的...
为了优化不同波段红外读出电路的噪声性能,给出了系统的CTIA结构读出电路噪声模型,分析了积分电容与积分时间对不同成分噪声的影响,得出了在不同红外波段探测下,噪声随积分参数取值的变化曲线。该优化研究将红...
提出了一种基于伪噪声(PN:Pseudo Noise)序列循环相关的信道估计算法,并将之应用于单载波频域均衡系统中.将新信道估计算法与2种典型的频域信道估计算法进行对比研究发现:新算法可更好的兼顾性能...
在信号检测中,突变点和脉冲点的检测尤为重要.本文首先用多项式预测法找出输入信号的突变点和脉冲点.并证明了预测因子之和为1.文中将时间域里的一维信号看成有序样品,由突变点将信号按谱系分成多类.然后对每一...
Kaedah nyah-benaman pengukuran Angka Hingar (AH) atas-wafer untuk Litar Bersepadu Frekuensi Radio (L...
ウェーブメモリ(NF製WM-852)とマイクロコンピュータ(日立製ベーシックマスターレベル3マーク5)を用いて、積算器を製作した。記憶容量は、1024ワード、サンプリング時間は、50n秒から1秒、積算...
ウェーブメモリ(NF製WM-852)とマイクロコンピュータ(日立製ベーシックマスターレベル3マーク5)を用いて、積算器を製作した。記憶容量は、1024ワード、サンプリング時間は、50n秒から1秒、積算...
In this paper, a new robust measureement method and setup on the 1/f noise of wafer level is develop...
在噪声防治工作中,准确测定和评估工人的噪声暴露水平非常重要.由于生产现场噪声不断变化,工人的工作位置也在变化,所以,准确测定和评估工人的噪声暴露水平面临许多困难.为了解决噪声防治工作需要与噪声测定技术...
噪声是生产环境中最常见的职业有害因素.噪声测量与评价是工业噪声防治工作的基础,也是工作的难点[1-2].传统的工业噪声测量多采用针对生产环境和噪声源的定点定时噪声测量方法[3-5],在测量评价复杂环境...
提出了一个新的解析的适用于SOI MOSFET's的高频噪声模型.该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述.同时,利用该模型可以...
• Parameter extraction and statistical analysis are based on Accurate on-wafer measurement results: ...
采用锁相放大器从液氮温度到室温实时记录超巨磁电阻材料Pr0.67Sr0.33MnO3 1/f噪声的大小随温度的变化.在电阻峰值温度约为160K的样品上,在略低于峰值温度处观测到温度宽度约为5K的1/f...
为了优化不同波段红外读出电路的噪声性能,给出了系统的CTIA结构读出电路噪声模型,分析了积分电容与积分时间对不同成分噪声的影响,得出了在不同红外波段探测下,噪声随积分参数取值的变化曲线。该优化研究将红...
MOS形電界効果トランジスタはSi-SiO2界面を利用したデバイスであるために,界面付近の表面単位の影響をうけて,低周波において1/f雑音とよばれるかなり大きな雑音を発生する.しかし,その発生機構はま...
本論文主要分析三維積體電路中,由於矽穿孔上電流產生的基板雜訊對電路造成的影響。透過參考三維傳輸線矩陣方法,本文提出一準確之等效電路模型,可以在極近的矽穿孔間距之下,得到準確的基板雜訊模擬結果。在提出的...
为了优化不同波段红外读出电路的噪声性能,给出了系统的CTIA结构读出电路噪声模型,分析了积分电容与积分时间对不同成分噪声的影响,得出了在不同红外波段探测下,噪声随积分参数取值的变化曲线。该优化研究将红...
提出了一种基于伪噪声(PN:Pseudo Noise)序列循环相关的信道估计算法,并将之应用于单载波频域均衡系统中.将新信道估计算法与2种典型的频域信道估计算法进行对比研究发现:新算法可更好的兼顾性能...
在信号检测中,突变点和脉冲点的检测尤为重要.本文首先用多项式预测法找出输入信号的突变点和脉冲点.并证明了预测因子之和为1.文中将时间域里的一维信号看成有序样品,由突变点将信号按谱系分成多类.然后对每一...
Kaedah nyah-benaman pengukuran Angka Hingar (AH) atas-wafer untuk Litar Bersepadu Frekuensi Radio (L...
ウェーブメモリ(NF製WM-852)とマイクロコンピュータ(日立製ベーシックマスターレベル3マーク5)を用いて、積算器を製作した。記憶容量は、1024ワード、サンプリング時間は、50n秒から1秒、積算...
ウェーブメモリ(NF製WM-852)とマイクロコンピュータ(日立製ベーシックマスターレベル3マーク5)を用いて、積算器を製作した。記憶容量は、1024ワード、サンプリング時間は、50n秒から1秒、積算...