Add to ORKGCMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。实现1-2GHz的工作频率对CMOS已经不是什么困难00921-2
采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟，包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击...
报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯...
报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋Si/SiO_2布拉格反射器的SOR衬底。这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的。在垂直光照条件下，这种SOR衬底在1.3μm处的反射率接近...
本文在CMOS标准工艺和压阻器件经典工艺的基础上,通过两者合理的工艺组合,将以大量程流量计为代表的压阻器件与相关的调理电路集成在一个硅片上.测试结果表明,在集成工艺流程下,CMOS的单管特性和放大电路...
介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFE...
本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺...
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采...
專利類型：新型專利國別：中華民國專利公開/公告號：226822專利申請號：082212898國際分類號：H03K-019/003專利期間：19940711~2005021
局部网LSI/VLSI技术目前已成为设计局部网软、硬件的一个关键因素.采用超大规模集成电路可以大大减化传输板和支持软件的设计.本文介绍了能够完全实现CSMA/CD协议的通讯控制器Intel 82586...
提出了一种用于视网膜修复的脉冲频率调制电路结构．该电路产生频率正比于入射光强度的电脉冲序列．论证分析了该电路的基本特性，并基于0．6μm CMOS工艺进行了流片．仿真结果表明，该电路可以应用于视网膜下...
阐述了位置灵敏探测器在核物理实验中的作用,同时详细叙述了低气压多丝室(LP-MWPC)的工作机理及时间、位置特性。描述了用于较高能量轻粒子的次级束实验的LP-MWPC的结构和测试结果,得到ΔX=ΔY=...
前不久,北京大学中国经济研究中心(CCER)孟庆轩教授应邀在世界银行研究院(WBI)举办的2000年培训班上发表了演讲。本次培训班的主题——国际金融:资本流动和金融风险的管理。本刊特将孟庆轩教授的演讲...
基于作者先前提出的时钟馈通补偿方式的开关电流存储单元及全差分总体结构,本文设计了一种二阶开关电流Σ-Δ调制器.工作中采用TSMC 0.35μm CMOS数字电路工艺平台,在低电压工作下进行电路参数优化...
从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯...
印刷电路板曾是工艺品,PCB设计人员是艺术家和技师。元件有各种不同的形状、尺寸和颜色,连接这些元件的轨迹是美丽图案中的优美弧线。 相比之下,如今的电路板很乏味。比如,在一块典型的现代数字PCB组件上,...
采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟，包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击...
报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯...
报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋Si/SiO_2布拉格反射器的SOR衬底。这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的。在垂直光照条件下，这种SOR衬底在1.3μm处的反射率接近...
本文在CMOS标准工艺和压阻器件经典工艺的基础上,通过两者合理的工艺组合,将以大量程流量计为代表的压阻器件与相关的调理电路集成在一个硅片上.测试结果表明,在集成工艺流程下,CMOS的单管特性和放大电路...
介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFE...
本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺...
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采...
專利類型：新型專利國別：中華民國專利公開/公告號：226822專利申請號：082212898國際分類號：H03K-019/003專利期間：19940711~2005021
局部网LSI/VLSI技术目前已成为设计局部网软、硬件的一个关键因素.采用超大规模集成电路可以大大减化传输板和支持软件的设计.本文介绍了能够完全实现CSMA/CD协议的通讯控制器Intel 82586...
提出了一种用于视网膜修复的脉冲频率调制电路结构．该电路产生频率正比于入射光强度的电脉冲序列．论证分析了该电路的基本特性，并基于0．6μm CMOS工艺进行了流片．仿真结果表明，该电路可以应用于视网膜下...
阐述了位置灵敏探测器在核物理实验中的作用,同时详细叙述了低气压多丝室(LP-MWPC)的工作机理及时间、位置特性。描述了用于较高能量轻粒子的次级束实验的LP-MWPC的结构和测试结果,得到ΔX=ΔY=...
前不久,北京大学中国经济研究中心(CCER)孟庆轩教授应邀在世界银行研究院(WBI)举办的2000年培训班上发表了演讲。本次培训班的主题——国际金融:资本流动和金融风险的管理。本刊特将孟庆轩教授的演讲...
基于作者先前提出的时钟馈通补偿方式的开关电流存储单元及全差分总体结构,本文设计了一种二阶开关电流Σ-Δ调制器.工作中采用TSMC 0.35μm CMOS数字电路工艺平台,在低电压工作下进行电路参数优化...
从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯...
印刷电路板曾是工艺品,PCB设计人员是艺术家和技师。元件有各种不同的形状、尺寸和颜色,连接这些元件的轨迹是美丽图案中的优美弧线。 相比之下,如今的电路板很乏味。比如,在一块典型的现代数字PCB组件上,...
采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟，包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击...
报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯...
报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋Si/SiO_2布拉格反射器的SOR衬底。这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的。在垂直光照条件下，这种SOR衬底在1.3μm处的反射率接近...