Add to ORKG本文分析了以 TTL 电平做为 CMOS 输入带来的困难,并提出了三种与 TTL 电平兼容的 CMOS 输入级电路结构。SPICE 模拟结果表明,这三种电路结构是可行的。0041-1
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1077号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1995-02-09 ; 早大学位記番号:新2135 ; 理工学図書館請求番号:1824...
Mo(Ⅵ)在pH 2～3,0.1mol/L KCl溶液中能被还原,其电位为-0.45V(对Ag/AgCl)。还原产物能沉积在滴汞上,它能催化N0_2~-的还原。NO_2~-的还原电位从-0.95V(对...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙987号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1993-10-14 ; 早大学位記番号:新1967 ; 理工学図書館請求番号:1684t...
本文用单一能级界面态模型和均匀连续分布界面态模型研究了MOS电容微分量((de)/dv)与频率ω的关系,得到了归一化的(1-e/c_i)~3d/dV(e/ci)-V及(1-e/c_i)~(-3)d/d...
为使MOS降水预报方程的质量得到明显改善和提高,本文提出一套降水量正态化处理的办一法,包括降水量分布检验、客观分片、适用性分级和降水样本的非线性消空处理等技术。1991年进行的业务试验表明,该方法不仅...
本发明公开了一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法，所述装置包括行选择器，第一列选择器，第二列选择器和监测管。所述监测MOS管阵列阈值电压的方法利用上述装置，通过对待测MOS管阵列中的MOS管和...
本文在CMOS标准工艺和压阻器件经典工艺的基础上,通过两者合理的工艺组合,将以大量程流量计为代表的压阻器件与相关的调理电路集成在一个硅片上.测试结果表明,在集成工艺流程下,CMOS的单管特性和放大电路...
CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。实现1...
利用固定床反应器,研究了 Fe-Mo 氧化物/载体催化剂对甲醇氨氧化制氢氰酸的催化性能,考察了催化剂组成和反应条件(如温度)对催化活性的影响。氢氰酸的单程收率可达94%。发现催化剂的活性与表面酸性有关...
介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFE...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1058号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-10-13 ; 早大学位記番号:新2093 ; 理工学図書館請求番号:1785...
本文测定了盐在含苯、甲苯、对二甲苯和四氯化碳的DMSO或DMF混合溶剂中的溶解度。结果符合经验公式lg(S_o/S_m)=K~φφ_(Nc);对K~φ的规律作了初步讨论。004565-57
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生...
介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡...
報告番号: ; 学位授与年月日: 2011-03-24 ; 学位の種別: 修士 ; 学位の種類: 修士(工学) ; 学位記番号: ; 研究科・専攻: 工学系研究科電気系工学専
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1077号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1995-02-09 ; 早大学位記番号:新2135 ; 理工学図書館請求番号:1824...
Mo(Ⅵ)在pH 2～3,0.1mol/L KCl溶液中能被还原,其电位为-0.45V(对Ag/AgCl)。还原产物能沉积在滴汞上,它能催化N0_2~-的还原。NO_2~-的还原电位从-0.95V(对...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙987号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1993-10-14 ; 早大学位記番号:新1967 ; 理工学図書館請求番号:1684t...
本文用单一能级界面态模型和均匀连续分布界面态模型研究了MOS电容微分量((de)/dv)与频率ω的关系,得到了归一化的(1-e/c_i)~3d/dV(e/ci)-V及(1-e/c_i)~(-3)d/d...
为使MOS降水预报方程的质量得到明显改善和提高,本文提出一套降水量正态化处理的办一法,包括降水量分布检验、客观分片、适用性分级和降水样本的非线性消空处理等技术。1991年进行的业务试验表明,该方法不仅...
本发明公开了一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法，所述装置包括行选择器，第一列选择器，第二列选择器和监测管。所述监测MOS管阵列阈值电压的方法利用上述装置，通过对待测MOS管阵列中的MOS管和...
本文在CMOS标准工艺和压阻器件经典工艺的基础上,通过两者合理的工艺组合,将以大量程流量计为代表的压阻器件与相关的调理电路集成在一个硅片上.测试结果表明,在集成工艺流程下,CMOS的单管特性和放大电路...
CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。实现1...
利用固定床反应器,研究了 Fe-Mo 氧化物/载体催化剂对甲醇氨氧化制氢氰酸的催化性能,考察了催化剂组成和反应条件(如温度)对催化活性的影响。氢氰酸的单程收率可达94%。发现催化剂的活性与表面酸性有关...
介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFE...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1058号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-10-13 ; 早大学位記番号:新2093 ; 理工学図書館請求番号:1785...
本文测定了盐在含苯、甲苯、对二甲苯和四氯化碳的DMSO或DMF混合溶剂中的溶解度。结果符合经验公式lg(S_o/S_m)=K~φφ_(Nc);对K~φ的规律作了初步讨论。004565-57
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生...
介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡...
報告番号: ; 学位授与年月日: 2011-03-24 ; 学位の種別: 修士 ; 学位の種類: 修士(工学) ; 学位記番号: ; 研究科・専攻: 工学系研究科電気系工学専
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1077号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1995-02-09 ; 早大学位記番号:新2135 ; 理工学図書館請求番号:1824...
Mo(Ⅵ)在pH 2～3,0.1mol/L KCl溶液中能被还原,其电位为-0.45V(对Ag/AgCl)。还原产物能沉积在滴汞上,它能催化N0_2~-的还原。NO_2~-的还原电位从-0.95V(对...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙987号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1993-10-14 ; 早大学位記番号:新1967 ; 理工学図書館請求番号:1684t...