Add to ORKGGaAs薄膜材料生长技术的迅速发展和成熟及其广泛应用,该材料性质及其在外部电磁场等条件下的变化的广泛研究,促使以GaAs多层膜为结构的光电子元器件和集成光学元件以及相关的集成光电子技术和光计算技术等高科技研究和实用化的飞速进展,其中GaAs膜材料的光学性质,尤其是激光与GaAs膜的相互作用,影响其光学性质的研究是极其有用的。本文报道He-Ne激光辐照金属有机氧化物气相外延(MOVPE)技术生长的不掺杂GaAs膜,其光透射性质发生变化的实验研究结果。中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)011870-87
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
在過去幾年，因為國防和商業的用途發展，AlGaAs/GaAs 量子井紅外線偵測 器和InAs/GaAs量子點紅外線偵測器已經被廣泛的研究。AlGaAs/GaAs 量子井紅 外線偵測器最高僅能夠操作在1...
利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照，发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构...
报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长...
应变超薄层结构的组分、厚度应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,该文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,...
本文对反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺进行了实验研究。其中包括激活材料、表面清洁和激活过程。研究了银管渗透氧源的性能。研究了多孔钨铯离子源及其性能。实验结果表明，这种离子源性能良好。对几种GaA...
比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时...
在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa...
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响...
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术，以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现，自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns，与InAs层厚度...
利用GaAs量子阱中Γ谷速缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ－X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C－V特性上...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
垂直梯度凝固法（VGF）生长的低位错半绝缘（SI）GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表...
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
在過去幾年，因為國防和商業的用途發展，AlGaAs/GaAs 量子井紅外線偵測 器和InAs/GaAs量子點紅外線偵測器已經被廣泛的研究。AlGaAs/GaAs 量子井紅 外線偵測器最高僅能夠操作在1...
利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照，发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构...
报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长...
应变超薄层结构的组分、厚度应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,该文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,...
本文对反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺进行了实验研究。其中包括激活材料、表面清洁和激活过程。研究了银管渗透氧源的性能。研究了多孔钨铯离子源及其性能。实验结果表明，这种离子源性能良好。对几种GaA...
比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时...
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在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响...
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射...
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利用GaAs量子阱中Γ谷速缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ－X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C－V特性上...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
垂直梯度凝固法（VGF）生长的低位错半绝缘（SI）GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表...
液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底...
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其...
在過去幾年，因為國防和商業的用途發展，AlGaAs/GaAs 量子井紅外線偵測 器和InAs/GaAs量子點紅外線偵測器已經被廣泛的研究。AlGaAs/GaAs 量子井紅 外線偵測器最高僅能夠操作在1...