Add to ORKG超晶格中出现折迭声学声子是多层结构超晶格的直接反映,从它的频率位置和散射强度中,我们可以得到超晶格中有关周期及界面的信息.用Rytov公式,可以折迭声学声子的频率,并且理论结果和实验符合得相当好。它的散射强度可以用光弹模型来计算.用这种方法,J.Sapried等曾计算过GaAS/AeGaAs超晶格中折迭声学声子
室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)%的C原子，利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征，如果注入C原子的浓度小于0.6%，在...
应用电容-电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x外延层深中心。Al掺杂ZnS_(0.977)Te_(0.023)的光致荧光强度明显低于不掺杂的Zn...
§1.引言 设X_1,…,X_n遵从独立同分布F(x,α)(～i.i.dF(x,α)),其中X_i为一维随机变量,α是一维参数。在实际问题中,由于干扰或其他一些因素,有时当X_i的取值超过一定范围后,...
采用离子束技术,在n型硅基片上注入稀土元素钆,制备了磁性/非磁性p-n结.本文中使用的XPS对制备的样品进行测试,利用Origin 7.0提供的PFM工具进行研究,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO_...
本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 ...
研究了Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁遇极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂Si_1-x...
本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 ...
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si+ 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1 -xCx 合金 ,研究了...
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶。在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵，改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的X射线...
基于有限差分法开发了一个Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管(Ge_xSi_(1-x)HBT)模拟器GSHBT.通过解释一组输入语句，GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的Ge_xSi_(1-...
利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%~1.0%的Si1?xCx合金, 研究了不同注入剂量下Si1?xCx合金的形成及其在退火过程中的稳定性. 如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量...
运用分子动力学的研究方法,通过对Si_(1-x)Ge_x衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si_(1-x)Ge_x衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si_...
用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模...
活性组分与载体的相互作用,活性组分在载体表面分散的结构状态,以及活性组分在载体表面的最大分散量(分散阈值)是多相催化剂研究中的基本问题。活性组分在载体表面的分散状态和分散阈值取决于活性组分和载体本身的...
采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结...
室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)%的C原子，利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征，如果注入C原子的浓度小于0.6%，在...
应用电容-电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x外延层深中心。Al掺杂ZnS_(0.977)Te_(0.023)的光致荧光强度明显低于不掺杂的Zn...
§1.引言 设X_1,…,X_n遵从独立同分布F(x,α)(～i.i.dF(x,α)),其中X_i为一维随机变量,α是一维参数。在实际问题中,由于干扰或其他一些因素,有时当X_i的取值超过一定范围后,...
采用离子束技术,在n型硅基片上注入稀土元素钆,制备了磁性/非磁性p-n结.本文中使用的XPS对制备的样品进行测试,利用Origin 7.0提供的PFM工具进行研究,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO_...
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室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si+ 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1 -xCx 合金 ,研究了...
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活性组分与载体的相互作用,活性组分在载体表面分散的结构状态,以及活性组分在载体表面的最大分散量(分散阈值)是多相催化剂研究中的基本问题。活性组分在载体表面的分散状态和分散阈值取决于活性组分和载体本身的...
采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结...
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§1.引言 设X_1,…,X_n遵从独立同分布F(x,α)(～i.i.dF(x,α)),其中X_i为一维随机变量,α是一维参数。在实际问题中,由于干扰或其他一些因素,有时当X_i的取值超过一定范围后,...