本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型函数的半极值全宽值都明显增大,而△α-λ谱和△n-λ谱的峰值对应的λ_p值明显移向长波端。不掺杂薄GaAs层内电流感生的这种光学非线性效应,对了解具有多薄层结构的电流注入型半导体光电子器件和集成光学元件的物理机制,设计和改进器件性能具有实用参考价值。中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)00196-10
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝...
目的通过受照射的细胞培养液培养靶细胞,并用二甲基亚砜(DMSO)对靶细胞预处理,检测其对自然杀伤(NK)细胞活性的影响,研究旁效应是否存在及其产生机理。方法以健康雄性ICR小鼠脾NK细胞活性检测经过不...
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400~600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行...
利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,...
一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法,它采用MOCVD技术,利用高纯NH3做N源,高纯H2或N2做载气,三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和...
金属-有机骨架材料(MOFs)是以金属离子或金属簇为配体中心,与含氧或氮的有机配体通过配位作用形成的多孔骨架结构[1]。磁分离技术,即利用外加磁场实现被富集物质与基质的快速、直接分离的方法[2]。与传...
利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学C...
金属有机框架材料(MOFs)是一种多孔聚合物材料,其相关研究近年来取得迅速发展。MOFs是以金属离子为中心,桥连的有机配体作为支撑经延伸形成的一类具有周期性网络结构的晶态多孔材料。由于其较强的功能性、...
金属有机骨架材料(MOFs)是一类新型多孔材料,具有空隙度高,比表面积大,孔道结构规整,空间结构多样,化学和热稳定性高等特点。手性MOFs因为有较多的手性识别位点,现已开始做为色谱固定相用于手性分离领...
本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先,在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃,氢气下高温处理,然后温度降低到490-550℃生长GaN成核层,其后,将生长温度升...
采用中频非平衡反应磁控溅射法分别在单晶硅P(111)及钛合金基材表面制备了Ti/MoS_2复合涂层。采用原子氧辐照模拟装置考察涂层在原子氧辐照环境的抗氧化性能。利用高真空摩擦试验机分析涂层在原子氧辐照...
氮化物-Ⅲ族半导体,由于其特有的带隙范围和优良的光电特性,该材料在紫外、可见光波段发光二极管(LED),蓝、绿光激光器(LD),高频、大功率电子器件、UV-探测器等光电子器件有着广泛的应用前景,因此也...
粒径小于2.5 微米的大气细颗粒物(PM2.5)对人体健康有显著的危害.目前我国多个城市PM2.5超标严重,引起了社会和公众的广泛关注,已成需要重点控制的大气污染物.尽管大量的流行病学和毒理学研究证实...
稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光...
用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器,并详细介绍了整个...
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝...
目的通过受照射的细胞培养液培养靶细胞,并用二甲基亚砜(DMSO)对靶细胞预处理,检测其对自然杀伤(NK)细胞活性的影响,研究旁效应是否存在及其产生机理。方法以健康雄性ICR小鼠脾NK细胞活性检测经过不...
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400~600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行...
利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,...
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粒径小于2.5 微米的大气细颗粒物(PM2.5)对人体健康有显著的危害.目前我国多个城市PM2.5超标严重,引起了社会和公众的广泛关注,已成需要重点控制的大气污染物.尽管大量的流行病学和毒理学研究证实...
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异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝...
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