Add to ORKG稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光电子器件领域的广泛应用,GaN基的稀磁半导体自然成为关注的重点。在前期研究中,我们成功利用金属有机气象化学沉积(MOCVD)技术制备出具有高晶体质量的Mn替位掺杂GaN单晶薄膜,该
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1058号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-10-13 ; 早大学位記番号:新2093 ; 理工学図書館請求番号:1785...
本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非...
GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点，尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例，因此相关的文献较多，但综述性文章却不多见。鉴于此，本文综述了用MOCVD法制备Ga...
对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AⅡnGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系.同时,用波长为325纳米的短波长...
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。...
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行...
用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950...
氮化物-Ⅲ族半导体,由于其特有的带隙范围和优良的光电特性,该材料在紫外、可见光波段发光二极管(LED),蓝、绿光激光器(LD),高频、大功率电子器件、UV-探测器等光电子器件有着广泛的应用前景,因此也...
利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇...
提出了一种用于ＭＯＣＶＤ系统在位实时监测的快速、自动、旋转检偏式激光椭偏仪（ＲＡＥ）。这种椭偏仪可由常规手动消光椭偏仪改装而成。阐述了它的工作原理、数据采集方法和数据处理程序。最后讨论了与ＭＯＣＶＤ生...
本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃，氢气下高温处理，然后温度降低到490-550℃生长GaN成核层，其后，将生长温度升...
一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和...
用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个...
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生...
对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1058号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-10-13 ; 早大学位記番号:新2093 ; 理工学図書館請求番号:1785...
本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非...
GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点，尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例，因此相关的文献较多，但综述性文章却不多见。鉴于此，本文综述了用MOCVD法制备Ga...
对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AⅡnGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系.同时,用波长为325纳米的短波长...
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。...
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用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950...
氮化物-Ⅲ族半导体,由于其特有的带隙范围和优良的光电特性,该材料在紫外、可见光波段发光二极管(LED),蓝、绿光激光器(LD),高频、大功率电子器件、UV-探测器等光电子器件有着广泛的应用前景,因此也...
利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇...
提出了一种用于ＭＯＣＶＤ系统在位实时监测的快速、自动、旋转检偏式激光椭偏仪（ＲＡＥ）。这种椭偏仪可由常规手动消光椭偏仪改装而成。阐述了它的工作原理、数据采集方法和数据处理程序。最后讨论了与ＭＯＣＶＤ生...
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一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和...
用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个...
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本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非...
GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点，尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例，因此相关的文献较多，但综述性文章却不多见。鉴于此，本文综述了用MOCVD法制备Ga...