Add to ORKG提出了一种用于ＭＯＣＶＤ系统在位实时监测的快速、自动、旋转检偏式激光椭偏仪（ＲＡＥ）。这种椭偏仪可由常规手动消光椭偏仪改装而成。阐述了它的工作原理、数据采集方法和数据处理程序。最后讨论了与ＭＯＣＶＤ生长过程的在位实时监测有关的问题。如光学窗口、反应器管壁沉积物及其它误差来源。中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)002133-137+14
研究了MPCVD生长的金刚石膜的拉曼光谱.除给出它们的全部一级谱外,还根据纳米结构特有的共振尺寸选择效应,认为MPCVD金刚石膜中不含有纳米晶成分,并认为1145 cm-1峰不能作为生成纳米晶金刚石的...
金属-有机骨架材料(MOFs)是以金属离子或金属簇为配体中心,与含氧或氮的有机配体通过配位作用形成的多孔骨架结构[1]。磁分离技术,即利用外加磁场实现被富集物质与基质的快速、直接分离的方法[2]。与传...
介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡...
稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光...
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。...
利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇...
本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃，氢气下高温处理，然后温度降低到490-550℃生长GaN成核层，其后，将生长温度升...
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行...
用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个...
对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明...
一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1058号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-10-13 ; 早大学位記番号:新2093 ; 理工学図書館請求番号:1785...
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验...
利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,...
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验...
研究了MPCVD生长的金刚石膜的拉曼光谱.除给出它们的全部一级谱外,还根据纳米结构特有的共振尺寸选择效应,认为MPCVD金刚石膜中不含有纳米晶成分,并认为1145 cm-1峰不能作为生成纳米晶金刚石的...
金属-有机骨架材料(MOFs)是以金属离子或金属簇为配体中心,与含氧或氮的有机配体通过配位作用形成的多孔骨架结构[1]。磁分离技术,即利用外加磁场实现被富集物质与基质的快速、直接分离的方法[2]。与传...
介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡...
稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光...
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。...
利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇...
本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃，氢气下高温处理，然后温度降低到490-550℃生长GaN成核层，其后，将生长温度升...
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行...
用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个...
对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明...
一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1058号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-10-13 ; 早大学位記番号:新2093 ; 理工学図書館請求番号:1785...
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验...
利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,...
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验...
研究了MPCVD生长的金刚石膜的拉曼光谱.除给出它们的全部一级谱外,还根据纳米结构特有的共振尺寸选择效应,认为MPCVD金刚石膜中不含有纳米晶成分,并认为1145 cm-1峰不能作为生成纳米晶金刚石的...
金属-有机骨架材料(MOFs)是以金属离子或金属簇为配体中心,与含氧或氮的有机配体通过配位作用形成的多孔骨架结构[1]。磁分离技术,即利用外加磁场实现被富集物质与基质的快速、直接分离的方法[2]。与传...
介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡...