AlxGal-xN/GaN 异质结构是一种典型的高导带阶跃、强极化半导体低维量子体系,在高温、高频、高功率电子器件领域有重要应用。与 AlxGal-xAs/GaAs 异质结构相比,AlxGal-xN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)浓度一般高一个数量级,其输运和自旋性质很可能具有新的特点。
GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题没有得到解决.该论文集中于氮...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
该论文通过在大量的实验基础和理论分析之上,首先对在氮化镓基的器件中一种重要而且基本的结构--AlGaN/GaN异质结作了系统的分析与研究;其次,在国内首次采用氢化物气相外延法(HVPE)与金属有机物气...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至...
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况.对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述.阐明了GaN激光器的一些技术路线,如GaN同质生长衬底的发展,...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效...
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的...
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不...
采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或...
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)...
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究,并分析得到了AlN分子束外...
GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题没有得到解决.该论文集中于氮...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
该论文通过在大量的实验基础和理论分析之上,首先对在氮化镓基的器件中一种重要而且基本的结构--AlGaN/GaN异质结作了系统的分析与研究;其次,在国内首次采用氢化物气相外延法(HVPE)与金属有机物气...
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
(1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高...
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至...
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况.对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述.阐明了GaN激光器的一些技术路线,如GaN同质生长衬底的发展,...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效...
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的...
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不...
采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或...
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)...
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进...
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究,并分析得到了AlN分子束外...
GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题没有得到解决.该论文集中于氮...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
该论文通过在大量的实验基础和理论分析之上,首先对在氮化镓基的器件中一种重要而且基本的结构--AlGaN/GaN异质结作了系统的分析与研究;其次,在国内首次采用氢化物气相外延法(HVPE)与金属有机物气...