GaN/AlGaN超晶格过渡层对生长在GaN模板层上的AlGaN位错密度的影响

采用 GaN/AlGaN 超晶格作为过渡层,用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在 GaN 模板层上生长200-nm 厚的 AlGaN 外延层.通过 X 射线衍射测量,发现改变超晶格中 GaN 或 AlGaN 的厚度对 AlGaN 晶体的(002)和(102)面的半峰宽有较大影响.X 射线衍射中(002)面的半宽反应了晶体螺型位错的密度,而(102)面的半宽则综合反应了螺型位错和刃型位错的密度.研究表明.当 GaN/AGaN