Add to ORKG在超晶格样品（ＧａＡｓ）４／（ＡｌＡｓ）２的一级共振拉曼光谱的界面模的观察中，四个界面模在ＸＸ和ＸＹ两种偏振态中均能被观察到，这与传统的选择定则相矛盾。这是因为传统的理论假设电子波函数是完全限制在势阱当中，而在超薄系统中例如在ＧａＡｓ势阱中的电子波函数会穿透到ＡｌＡｓ势垒中，从而得到新的结果。这表明传统的理论在被应用到超薄系统或超小系统时需要进行一定的修正。中国科学引文数据库(CSCD)00240-4
利用GaAs量子阱中Γ谷速缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ－X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C－V特性上...
本文对NEA GaAs（Cs,O）光电阴极理论模型作了一定的研究。提出了用表面态模型对NEA GaAs（Cs,O）表面结构及形成过程进行分析的方法，并用以解释许多实验现象。对GaAs（Cs,O）光电阴...
現在の情報通信は光ファイバ通信によって支えられている。一般宅へ直接光ファイバ回線を引き込むFTTH（Fiber To The Home）という言葉も一般化しつつある。FTTHの契約者数は年々増加してお...
首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样...
在GaAs/AlAs(10nm/2n,)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上，首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡。观测到的最高振荡频率可达142MHz。这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14...
报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前...
本文对反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺进行了实验研究。其中包括激活材料、表面清洁和激活过程。研究了银管渗透氧源的性能。研究了多孔钨铯离子源及其性能。实验结果表明，这种离子源性能良好。对几种GaA...
对GaAs基808nm半导体激光器进行恒流老化试验，并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻，发现有源区温度随老化时间明显上升，而热阻没有明显变化，同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特...
用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节，得到最大调节量为0.2eV;通过C...
制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)_M/(AlAs)_M超晶格样品并测量了其椭偏光谱。对这些样品的光频介电函数谱进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较。上述理论计算是对M...
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注，我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光，发现所有样品在室温下...
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新...
利用GaAs量子阱中Γ谷速缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ－X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C－V特性上...
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报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透...
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