制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量。C-V测量用来确定载流子的分布和耗尽信息,结果显示,p型层在15 V左右达到耗尽,对应的空穴载流子浓度在1.9×1017 cm-1左右,相对低的载流子浓度降低了电场限制,使探测器的工作电压相对偏高。在不同偏压下测量的光谱响应曲线显示出明显的Franz-Keldysh效应。EI中文核心期刊要目总览(PKU)中国科技核心期刊(ISTIC)中国科学引文数据库(CSCD)003262-2653
综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响,本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合,之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。调整不同键...
提出了以弱p型(p~--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算,研究了金属与p~--GaN层的肖特...
采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因。发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲。采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
一种GaN基薄膜芯片的制造方法,包括:1)在一蓝宝石衬底上生长外延层,该外延层包括N型层、活性层和P型层;2)在外延层上制作反射层;3)在反射层上涂覆第一树脂层;4)在第一树脂层上粘合第一...
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进...
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵,包括:一衬底;一成核层,该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层,该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层,该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层,该P型欧姆...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层,以此为材料,制作了暗电流很小的金属半导体金属(MSM)结紫外光探测器,测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国...
本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法,该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层,阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光,然后通过背向曝光技术实现第二次光刻,继而可...
微结构直接影响着材料的物理性质.半导体及高温超导体的微结构的实验和理论研究,对于深入了解其物理性质和机理,改善材料性能,都有着重要的意义.该文主要介绍作者在GaN薄膜和Y123高温超归体两个方向结构研...
<span>利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形...
GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm...
作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长.然后在表面沉积高反射介质膜分布布...
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用...
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在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
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宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进...
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵,包括:一衬底;一成核层,该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层,该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层,该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层,该P型欧姆...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层,以此为材料,制作了暗电流很小的金属半导体金属(MSM)结紫外光探测器,测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
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本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法,该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层,阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光,然后通过背向曝光技术实现第二次光刻,继而可...
微结构直接影响着材料的物理性质.半导体及高温超导体的微结构的实验和理论研究,对于深入了解其物理性质和机理,改善材料性能,都有着重要的意义.该文主要介绍作者在GaN薄膜和Y123高温超归体两个方向结构研...
<span>利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形...
GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm...
作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长.然后在表面沉积高反射介质膜分布布...
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用...
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