通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTB MOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型.并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证,分析了UTB结构中阈值电压随硅膜厚度变化的关系.国家自然科学基金; 国家高技术研究发展计划(863计划)中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)03412-4164
Quantum mechanical self-assembly of artificial minimal living cells were studied. These cells are ba...
In this article described a Zettl Research Group. They are currently investigating electronic, magne...
[[abstract]]本計畫主要的目的在探討低維度的超導體特性，我們仔細地量測樣品在磁場下的磁鬆弛現象，其中磁化率對時間對數的關係，在兩個不同時段可分成兩種不同的磁鬆弛率，因此超導薄膜再磁場下的鬆弛...
对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(GexSi1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,并对这三个...
計畫編號：NSC100-2112-M032-005研究期間：20110801~20120731研究經費：320,000[[abstract]]當矽材質場效電晶體逐漸接近它的尺度極限時，許多奈米尺度的結...
本文简介我们最近研制成功的超高真空(UHV)扫描隧道显微镜(STM)系统.该系统由于同时安装有扫描电子显微镜(SEM),可以使STM的针尖在SEM的引导下移到样品表面上任一感兴趣的地方去研究那里的纳米...
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果...
[[abstract]]在我最近的研究論文裡[1]，新變數和演算法已經可以成功的結合Density Gradient Model（DG 模型）和Energy Transport Model（ET 模型...
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακ...
针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作,利用器件主要的性能参数,详细分析了UTB结构的交流特性.通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器...
学位の種別: 課程博士審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 清水 明, 東京大学教授 小芦 雅斗, 東京大学準教授 村尾 美緖, 東京大学準教授 井上 慎, 東京大学準教授 桂 法
這篇論文主要在討論使用非平衡態格林函數的方法來模擬量子傳輸的效應。近年來，電晶體製程已經被發展至二十奈米以下。因為沒有考慮到量子效應，傳統使用飄移擴散方程的模擬方法來模擬載子傳輸現象已經沒辦法準確的模...
量子点结构具有独特而优异的光学和电学等性能,是当前国际研究的热点问题之一.量子点异质结构中的弹性场会对量子点结构的制备、加工及其光学和电学等物理性能产生重要影响.本文以此为背景,从低维量子限制系统所遵...
In this article described a Zettl Research Group. They are currently investigating electronic, magne...
原子層単位で厚さと組成を制御して作る半導体超薄膜やこれを要素とした層状の量子マイクロ構造について、主要な電子の物性・機能と応用例を紹介するとともに、原子スケールで層状構造の界面を評価し,制御する研究の...
Quantum mechanical self-assembly of artificial minimal living cells were studied. These cells are ba...
In this article described a Zettl Research Group. They are currently investigating electronic, magne...
[[abstract]]本計畫主要的目的在探討低維度的超導體特性，我們仔細地量測樣品在磁場下的磁鬆弛現象，其中磁化率對時間對數的關係，在兩個不同時段可分成兩種不同的磁鬆弛率，因此超導薄膜再磁場下的鬆弛...
对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(GexSi1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,并对这三个...
計畫編號：NSC100-2112-M032-005研究期間：20110801~20120731研究經費：320,000[[abstract]]當矽材質場效電晶體逐漸接近它的尺度極限時，許多奈米尺度的結...
本文简介我们最近研制成功的超高真空(UHV)扫描隧道显微镜(STM)系统.该系统由于同时安装有扫描电子显微镜(SEM),可以使STM的针尖在SEM的引导下移到样品表面上任一感兴趣的地方去研究那里的纳米...
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果...
[[abstract]]在我最近的研究論文裡[1]，新變數和演算法已經可以成功的結合Density Gradient Model（DG 模型）和Energy Transport Model（ET 模型...
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针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作,利用器件主要的性能参数,详细分析了UTB结构的交流特性.通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器...
学位の種別: 課程博士審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 清水 明, 東京大学教授 小芦 雅斗, 東京大学準教授 村尾 美緖, 東京大学準教授 井上 慎, 東京大学準教授 桂 法
這篇論文主要在討論使用非平衡態格林函數的方法來模擬量子傳輸的效應。近年來，電晶體製程已經被發展至二十奈米以下。因為沒有考慮到量子效應，傳統使用飄移擴散方程的模擬方法來模擬載子傳輸現象已經沒辦法準確的模...
量子点结构具有独特而优异的光学和电学等性能,是当前国际研究的热点问题之一.量子点异质结构中的弹性场会对量子点结构的制备、加工及其光学和电学等物理性能产生重要影响.本文以此为背景,从低维量子限制系统所遵...
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原子層単位で厚さと組成を制御して作る半導体超薄膜やこれを要素とした層状の量子マイクロ構造について、主要な電子の物性・機能と応用例を紹介するとともに、原子スケールで層状構造の界面を評価し,制御する研究の...
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In this article described a Zettl Research Group. They are currently investigating electronic, magne...
[[abstract]]本計畫主要的目的在探討低維度的超導體特性，我們仔細地量測樣品在磁場下的磁鬆弛現象，其中磁化率對時間對數的關係，在兩個不同時段可分成兩種不同的磁鬆弛率，因此超導薄膜再磁場下的鬆弛...
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