Publication date
January 2005
DOI Publisher
磁性材料及器件 Journal
1001-3830Abstract
分析了磁随机存储器相对于其他类型存储器的优势.同时阐述了在磁随机存储器的发展过程中所面临的各种问题以及相应的解决方法.最后指出未来磁随机存储器的发展要突破单纯作为存储器的功能,使它不仅能够存储数据,而且能够处理数据.中国科学引文数据库(CSCD)057-9,213
分析了磁随机存储器相对于其他类型存储器的优势.同时阐述了在磁随机存储器的发展过程中所面临的各种问题以及相应的解决方法.最后指出未来磁随机存储器的发展要突破单纯作为存储器的功能,使它不仅能够存储数据,而且能够处理数据.中国科学引文数据库(CSCD)057-9,213
In recent years, CMOS-based conventional memory technologies including SRAM, DRAM, and Flash memorie...
Since magnetic random access memory has promising aspects for next generation non-volatile memory, i...
曲柄式磁压缩系统是北京大学SASE自由电子激光装置中非常重要的部分,通过其对电子束团的压缩为扭摆器提供高流强、短脉冲的电子束,使电子束在扭摆器内较短的距离实现饱和出光.曲柄式磁压缩需要利用偏离高频峰位...
学位の種別: 課程博士審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 高木 信一, 東京大学教授 桜井 貴康, 東京大学教授 平本 俊郎, 東京大学准教授 高宮 真, 東京大学准教授 竹中 充, 中央大学教...
阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注.作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术.国家重点基础研究...
磁性固位体被称为"第三代固位体",具有关观、固位稳定、操作简单、自动复位、保护基牙等突出优点,如今已被广泛应用于口腔修复领域,范围包括覆盖义齿、种植义齿、可摘局部义...
随着互联网的普及与IT技术的高速发展,可信计算成为热点研究课题.本文分析和总结了可信计算研究的发展现状、体系结构与关键技术,并探讨其发展趋势.最后,提出了我国可信计算标准路线图制定的建议.国家自然科学...
Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on compl...
通过事件相关电位(ERPs)记录,探讨了深、浅2种加工与记忆编码的相互关系.研究结果表明,(1)在深、浅两种加工条件下,首次使用汉字材料,获得了ERP相继记忆效应(Dm),随后再认正确的ERPs比随后...
介绍了NiMnGa铁磁性形状记忆合金颗粒/树脂智能复合材料的制备、温度场和磁场响应特性以及阻尼性能的最新研究进展.与NiMnGa多晶材料相比,NiMnGa铁磁性形状记忆合金颗粒/树脂智能复合材料具有很...
Thesis: M. Eng., Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineer...
[[abstract]]© 2006 Institute of Electrical and Electronics Engineers -The magnetic random access mem...
介绍2007年诺贝尔物理学奖得主,法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔,他们在1988年前后各自独立发现的巨磁电阻效应;阐述它的基本原理及其当今研究的...
Thesis (M.Eng.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Materials Science and Engineering, ...
Abstract: Static random access memory (SRAM) is the most commonly employed semiconductor in the desi...
In recent years, CMOS-based conventional memory technologies including SRAM, DRAM, and Flash memorie...
Since magnetic random access memory has promising aspects for next generation non-volatile memory, i...
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