CMOS Technology for the Nanometer Regime

甘学温
黄爱华
黄如
张兴

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Publication date

January 2000

DOI

10.3969/j.issn.1006-6055.2000.03.011

Publisher

世界科技研究与发展

Journal

issn:1006-6055

Abstract

本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战,如:电源电压和闽值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互连线延迟等影响.分析了纳米CMOS器件结构的设计,讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构,包括SOICMOS、双栅和环栅MOSFET、凹陷沟道MOSFET、动态闽值MOSFET以及低温CMOS,它们可能把我们带至硅器件设计的最远极限.摩托罗拉中国技术中心资助项目中国科学引文数据库(CSCD)0348-522