AlGaN/GaN弱耦合多量子阱共振隧穿

GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节(从0到1.95eV),而且在 GaN 中电子饱和速度很高(>107cm/s)。在 AlGaN/GaN 多量子阱样片上制作 MSM 结构器件,所测量的Ⅰ-Ⅴ曲线因比邻的量子阱间共振隧穿出现负微分由阻效应,而且多量子阱 MSM 结构器件发生甘振隧(?)的振荡周期与最子阱数目相关