Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO

Кучеев, С. И.
Межаков, Н. Н.
Захвалинский, В. С.
Пилюк, Е. А.

Publication date

January 2017

Abstract

Наноразмерные (< 10 нм) пленки нитрида кремния, полученные магнетронным напылением, изменяют порог светочувствительности МДП структуры типа Si/Si3N4/HeMaTHK 5СВ/прозрачный электрод. Сдвиг смещения порога светочувствительности демонстрирует пропорциональность толщине пленок на начальных этапах их напылени

Extracted data

We use cookies to provide a better user experience.

Data Protection

Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO

Abstract

Extracted data

Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO

Abstract

Extracted data

Related items

Related items