Synthesis and Characterization of Chalcogenide Semiconductor Nanocrystals

硫属半导体材料在太阳能电池、热电材料、气体传感、发光器件等领域有广泛的应用。使用安全、简便、经济的纳米晶体合成方法以便获得具有特定形貌和组成的纳米材料并探索相应的生长机制,对纳米材料的实际应用具有重要意义。本论文对硫属半导体纳米材料的合成方法进行了研究，探讨了纳米晶体的形成机理，同时探索了纳米晶体材料在热电、光催化方面的性能，进而分析了纳米晶体结构与性能间的联系。 利用简单的水热法大量合成了由纳米片堆叠而成的一维碲化铋合金纳米棒。此纳米棒为异质结构，并通过一系列表征手段测得其组成为(Bi2Te3)0.4(BiTe)1.2。配位剂EDTA和中间产物Te的内部晶体结构是控制这种异质结构形成的重要因素。同时，研究了不同烧结方法和烧结条件对所合成纳米棒热电性能的影响。HPHT最优烧结条件为压力4 GPa下，700 K温度下烧结15分钟，烧结产物中氧化物杂质含量高，电学性能有所降低，但凭借其低的热导..