Add to ORKG高纯熔石英中掺杂TiO_2可使其具有低热膨胀或无膨胀性及特殊的紫外吸收,以实现能量转换,提高红外发射率,因而对其结构研究已受到关注,我们曾用Raman光谱研究了其结构与光谱特性,本文用光电子能谱(ESCA)探讨不同TiO_2含量的熔石英中网络缺陷与钛的配位结构变化
采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiO_x:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光。当材料中氧硅含量比约为1和1.76时，分别对应77K和室温测量时...
通过在溶胶-凝胶过程中引入高分子组分,并将稀土配合物掺杂其中的方法得到了具有良好发光性能的无机/高分子杂化薄膜,它们有很好的韧性和透明性,测定了薄膜的荧光光谱和荧光寿命,发现它们均发射出稀土离子的特征...
本文提出了用MOS恒流准静态小信号技术同时测量MOS的准静态电容、高频电容和半导体表面势的新方法。用此方法可以快速、准确地确定Si/SiO_2系统的低界面态密度分布。采用同步限幅差放技术,使界面态密度...
关于熔融石英中非桥氧的结构,已有多种报导,并且各自都有自己的不足之处。对于含Ti熔石英来说,也有不少人从事过Raman光谱的研究。但是,由于制备的条件的差别,所得的结果也不相同。我们对含Ti量1％～7...
采用红外、热重、N2吸附等分析方法,研究了碳化法制备的纳米Si O2表面羟基、孔隙结构和吸油值等随陈化p H值、陈化时间及干燥温度的变化关系。实验结果表明,在不同陈化p H值下Si O2凝聚反应速率不...
锐钛矿型TiO2是一种重要的半导体光催化剂,因其相对较高的催化活性、抗光腐蚀、低廉、无毒等优点在环境治理和能源开发领域有广阔的应用前景。然而锐钛矿型TiO2的禁带宽度为3.20eV,对光的吸收仅限于紫...
采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO...
SiO_2凝胶具有很好的发光性能,而且其发光光谱可以覆盖从蓝到红的整个可见区,有望作为一种环境友好的发光材料,这样可以避免目前发光材料中使用的一些价格昂贵而且有毒的金属离子,如银、镉和铕、铽等稀土离子...
向硅酸四乙酯凝胶体系中加入纳米磁性Fe3O4,得到了Fe3O4-SiO2复合材料,利用BET方法测定了其比表面积和孔分布,用TEM分析观察了其粒子形貌,并测定了复合材料的饱和磁强度曲线,研究表明：这种...
高分辨电镜观察表明PbS/SiO_2复合材料中PbS颗粒基本为nm级的球形粒子。由于复合材料中纳米级PbS颗粒的存在，其吸收光谱中的吸收边界与常规尺寸PbS颗粒的吸收光谱边界相比有明显的蓝移，体现出显...
由于La_2NiO_4独特的结构引起了众多研究者的广泛关注。Sr的掺杂可将半导体的La_2NiO_4转变为金属性。最近报导La_2NiO_4可能据有高温超导电性。因此,研究La_2NiO_4中掺杂引起...
纳米材料由于粒径小而具有许 多特殊的不同于块体材料的性质。用纳米技术 制成TiO2纳米晶多孔膜，能作为良好的光电转换的 基质。通过选择合适的敏化 染料，能达到很高的光电转换效率。本文介绍光电转换的原理...
一种掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法，它是在特定晶面方向的二硅酸镥衬底上采用电阻加热液相外延炉生长掺杂二硅酸镥闪烁薄膜形成的透明荧光屏，其结构表述为：(Ce<sub>x</sub>M<sub>...
掺杂元素的Ｌｅｗｉｓ酸强度对掺杂Ｉｎ_２Ｏ_３电性质的影响文世杰Ｇ．Ｃａｍｐｅｔ（ＬａｗｒｅｎｃｅＢｅｒｋｅｌｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙ，ＢｅｒｋｅｌｅｙＣＡ９４７２０，ＵＳＡ）（Ｌａｂｏｒａｔｏｉｒｅ...
先用120 keV的碳离子注入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜,再用能量为1 754 MeV的Xe离子辐照。注碳量为5.0×1016—8.6×1017ion/cm2,Xe离子辐照剂量为1.0×1011和5...
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