Elektrotoplinsko modeliranje i simulacija učinskog MOSFET-a

Electro-thermal simulation of power electronic semiconductors is now required in accurate optimisation of power electronic circuits and systems. This requires accurate, but not too complex, electro-thermal models of power semiconductors to be used in commercially available power electronic circuit simulators. Realization of one such electro-thermal model for power MOSFET in IsSpice is described in the paper. Model consists of electrical and thermal part with interactive exchange of variables. Electro-thermal model was tested on real circuit example.Za postizanje što bolje optimizacije sklopova i sustava energetske elektronike danas se zahtijeva elektrotoplinska simulacija učinskih poluvodičkih sklopki. Za to su potrebni točni, no ne i presloženi elektrotoplinski modeli učinskih poluvodičkih sklopki, pogodni za primjenu u tržišno dostupnim simulatorima sklopova energetske elektronike. U članku je prikazana IsSpice realizacija elektrotoplinskog modela učinskog MOSFET-a. Model se sastoji od električnog i toplinskog dijela koji međusobno izmjenjuju vrijednost varijabli. Elektrotoplinski model ispitan je mjerenjem na stvarnom sklopu