[[abstract]]氮,氮'-雙氰基恩菎二亞月安(N,N '- Dicyanoanthraquinone Diimine;DCNAQI)可與四硫富瓦烯(Tetrathiafulvalene;TTF)或銅等電 子供給者,形成電荷轉移型錯合物(Charge-Transfer complex)。本論文 發現DCNAQI-TTF可具有二種不同比例之錯合物,其活化能介於0.04~0.6 eV,導電度相差達108倍,於是針對其生成條件,晶體製備,錯合物結構 及其它基本物理特性進行一系列研究探討,並利用其半導體特性,將其發 展為一光閥及氫氣感測器,由於DCNAQI-TTF錯合物之光導電度不受氧氣干 擾,且其對氫氣之感應度較(DCNAQI)Cu鹽大十倍,因此其性質較(DCNAQI) Cu鹽更為優良。 此外本論文亦對( DCNAQI)Cu/ITO薄膜電極之製備加以改善,以得到穩固之薄膜電極,並對 其表面結構以及〝半導體/電解質界面 〞之等效電路(Equivalent Circuit)等基本物理特性進行一系列研究探討,實驗結果發現,(DCNAQI) Cu只在0 ~ - 0.5 V vs SCE之電位範圍方為穩定,此時(DCNAQI)/Cu薄膜 為一N型半導體,在此電位範圍之外,電位太正則(DCNAQI)Cu薄膜氧化剝 離,電位太負則(DCNAQI)/Cu薄膜還原變質為一P型半導體,這個結果澄清 了較早的疑慮,(DCNAQI)Cu薄膜為在銅基質上為一P型半導體,而在ITO基 質上卻為一N型半導體。 DCNAQI reacted with electron donors such as TTF or copper to form c...