Study of crystallization in thin layer of (GeS2)0,1(Sb2S3)0,9 by optical microscopy

Tato bakalářská práce je věnována studiu krystalizace tenké vrstvy chalkogenidového skla o složení (GeS2)0,1(Sb2S3)0,9. Tenká vrstva byla nanesena na povrch mikroskopických skel metodou napařování. Skla byla rozřezána a následně zahřívána různými rychlostmi. Vzrůst teploty během zahřívání způsobil krystalizaci Sb2S3 v tenké vrstvě. Nukleace a růst krystalů byly sledovány pomocí optické mikroskopie. Získaná data byla zpracována kinetickou analýzou s cílem stanovit aktivační energii procesu a parametry kinetických modelů.This thesis deals with the study of crystallization in thin layer of chalcogenide system (GeS2)0,1(Sb2S3)0,9. The thin layer was spread on the surface of microscopic glasses by method of vapor deposition. The microscopic glasses were cut to pieces and then heated by various heating rates. Increasing temperature caused the crystallization of Sb2S3 in thin layer. Nucleation and crystal growth were observed by an optical microscopy. The kinetic analysis of obtained data was performed. The activation energy and parameters of kinetic models were determined.Fakulta chemicko-technologick